英伟达CEO黄仁勋对中国芯片产业的评价 - 中国在芯片制造领域发展迅速，目前仅落后美国“几纳秒”[1] - 中国芯片产业被描述为充满活力、创业精神、高科技、现代化的产业，拥有庞大的人才储备和充满活力的工作文化[1] - 中国具备人工智能芯片制造能力，反驳了其落后美国两三年的说法[1] 黄仁勋对中美科技贸易的立场 - 呼吁美国政府放宽对华芯片出口限制，允许美国科技公司在中国市场展开竞争[1][3] - 认为在中国市场保持竞争力能让美国企业“在世界各地扩散技术”，并提升美国的经济成就和地缘政治影响力[3] - 希望中国继续保持“开放的市场”，认为外国公司在中国投资和竞争符合中美双方利益[3] 英伟达H20芯片相关事件 - 美国政府已批准专为中国市场设计的H20 AI芯片恢复对华出口[3] - H20芯片性能远不及其国际市场主流GPU芯片H100[3] - 此前H20芯片被美国以国家安全为由禁售，导致英伟达面临45亿美元库存损失，并被迫计提55亿美元减值，公司市值一度蒸发1600亿美元[3] 中方对科技贸易的立场 - 中方一贯反对在经贸科技问题上对特定国家采取歧视性做法[3] - 中方愿同各方保持对话合作，维护全球产供链稳定[3]

近日有报道称，英特尔已与苹果接洽，探讨可能的投资和深化合作的方式。目前双方的接触仍处于早期 阶段，暂时还无法达成协议。同时英特尔也在联系其他公司，探索潜在的投资和合作交易。 台积电董事长兼首席执行官魏哲家已经明确表示，不会考虑收购或者入股英特尔的制造部门，以避免技 术泄露和潜在的竞争风险。另外由于英特尔参与了众多与国防和国家安全相关的项目，加上美国政府已 是其最大单一股东，台积电对英特尔的相关投资也要经过美国政府的评估和审查。 据TrendForce报道，有业内人士透露，英特尔另外接触的合作方还包括了台积电（TSMC），讨论潜在 的投资或制造合作伙伴关系。英特尔是在与苹果接洽后不久，再与台积电进行了联系。不过对于双方而 言，这都是一个漫长而复杂的过程，台积电的主要担忧是潜在的技术泄露，领先的半导体制造技术是台 积电长期增长的主要动力之一。 外界非常怀疑英特尔是否还有能力提供尖端芯片所需要的生产能力，并提供相应的性能指标，所以一直 在讨论英特尔是否应该将制造部门剥离。英特尔长期以来都面临股东的压力，要求分拆制造部分并专注 于芯片设计。 ...

文章核心观点 - 智能手机处理器的制造是一个高度复杂、技术密集的全球化过程，从原材料到成品需跨越超3万公里的旅程，涉及多个国家和公司的尖端技术 [2] 原材料开采与初步加工 - 处理器旅程始于西班牙米纳塞拉巴尔的石英矿，由Ferroglobe运营，开采出的石英块宽度可达智能手机两倍 [4] - 石英块经卡车运输一小时后抵达Ferroglobe位于拉科鲁尼亚的Sabón工厂，该工厂占地12.5万平方米，通过电弧炉在1500至2000摄氏度下将石英与木屑反应，生成纯度约98%的金属硅 [6] 高纯度硅的提纯与晶圆制造 - 98%纯度的金属硅被送至德国瓦克化学公司，通过西门子法进行提纯，最终得到纯度达99.9999999%的多晶硅 [8] - 多晶硅可能被运至美国德州谢尔曼的环球晶圆公司工厂，该工厂投资35亿美元，通过提拉法将多晶硅制成直径300毫米的纯单晶硅锭，并切割成厚度不足1毫米的晶圆 [10] 芯片制造与封装 - 晶圆被运往中国台湾台南的台积电Fab 18工厂，使用每台成本高达3亿美元的极紫外光刻系统等设备，经过数月精密加工，在晶圆上制造出处理器 [12] - 制造完成的晶圆在马来西亚槟城的ASE工厂进行封装，将晶圆切割成芯片并附着微米级焊球，为芯片提供机械保护和连接途径 [13] 最终产品组装 - 封装好的芯片被运至印度南部班加罗尔的富士康组装厂，该工厂投资25.6亿美元，占地1.2平方公里，包含可容纳3万名工人的宿舍，预计每年生产约2500万部iPhone [15]

公司股价表现 - 英特尔股价涨幅扩大至7%，触及2024年7月以来的最高水平 [1] 产品定价与供应 - 公司酝酿在2024年第四季度针对“Raptor Lake”处理器调整定价，在现行150至160美元基础上提升20美元，涨幅超过10% [1] - “Raptor Lake”处理器从年中开始传缺货，迄今供货仍然吃紧 [1] 公司战略与融资 - 英特尔已就获得苹果公司投资事宜与后者接触，此举旨在重振这家如今部分由美国政府持股的困境芯片制造商 [1]

领航电子业务进展与抛光液优势 - 领航电子聚焦解决芯片制造关键材料"卡脖子"问题 核心产品钨抛光液填补国内产业链空白[1] - 已建成年产万吨级产能体系 产品覆盖芯片制造等多领域[1] - IC及硅晶圆等半导体级抛光液完成性能验证具备量产能力 多款芯片级抛光液获国内FAB厂订单 钨抛光液在国内头部FAB厂取得重大突破[1] 公司经营亮点与产品突破 - 抛光材料获高端汽车领域认可并推进关键供应商资质认证[1] - 推出五轴六工位磨抛机获头部手机厂商试用订单[1] - 优化抛光材料产品结构提升高附加值产品占比 新品研发取得突破[1] - 构建MIM钛合金转轴盖全制程工艺体系 具备为折叠屏厂商提供多材料一体化解决方案能力[1] 金字塔系列产品竞争优势 - 依托两项自主研发核心技术将高纯度磨料涂附在基材形成金字塔系列产品[1] - 产品应用于汽车漆面及3C消费电子等行业的表面过细抛光和精细研磨[1] - 率先实现高端金字塔产品规模化量产 打破进口依赖 凭借成本结构与供应链管控形成价格优势[1] 财务表现与业务结构 - 2025年上半年营业收入2.70亿元 同比增长15.82%[1] - 纸基/布基抛光材料收入1.64亿元 占比60.73%[1] - 新型抛光材料收入3837万元 占比14.22%[1] - 智能装备及结构件收入6686万元 占比24.77%[1] 战略路径与发展规划 - 从单一产品供应向系统化解决方案升级[1] - 在材料技术层面突破 推动产品应用向IC制造等尖端环节延伸[1] - 下半年加速半导体及3C消费电子市场推广及量产 加快整体业绩扭亏为盈[1] - 未来继续深耕精密研磨抛光领域 力争各项业务全面提升增长[1]

5nm芯片放大1亿倍！这真的是人 能造出来的？看完直接跪了！ #一分钟视频创作季# 0:00 ...

英特尔与英伟达合作 - 合作使英特尔获得美国政府支持 成为维持美国领先制造业的关键资产[2] - 英伟达客户强烈要求在大型英伟达集群中使用x86架构芯片[2] - 合作展示英伟达未滥用其数据中心主导地位 通过开放合作提供AGP用途CPU访问[3] 芯片制造安排 - 目前合作完全不涉及晶圆代工业务 芯片制造地点未定(英特尔或台积电)[5] - 英特尔是台积电重要客户 任何代工安排将是英特尔转型的第二阶段[5] - 合作核心是使x86英特尔芯片能接入英伟达开发的高速互连芯片架构[6] 英特尔战略重点 - 新任CEO明确十大优先事项 包括重获产品业务领导地位和强化资产负债表[8] - 前管理层过度投资制造产能 现需重建资产负债表[9] - 吸引美国政府、软银、英伟达等现金注入对英特尔至关重要[9] 中国市场地位 - 英特尔因生态系统优势在贸易紧张中一直受到保护[13] - 中国大量关键工作负载运行于x86英特尔芯片 因软件依赖极难迁移[13] - 对中国而言 打击英特尔成本高昂且不会带来重大战略优势[13]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容 编译自evertiq 。 美国LA Semiconducto公司已启动其位于爱达荷州波卡特洛的晶圆制造厂的出售流程，并聘请麦格理 集团监督此次交易。 该晶圆厂占地31英亩，拥有超过57,000平方英尺的洁净室空间，并具备扩建能力。目前，该厂生产工 艺涵盖0.18微米至1.5微米的数字、模拟和混合信号BCD、CMOS、双极型、MEMS以及先进的分立 器件，其光刻能力可达0.13微米。该工厂还设有一个原型组装实验室以及7,000平方英尺的探测和测 试洁净室空间。 据LA Semiconductor称，Pocatello晶圆厂最初于2022年从安森美半导体(Onsemi)收购，此后经历了 工艺改进和专有IP的开发。联合总经理Tony Little表示，该工厂目前处于收购以来"最稳定、最高效 的运营水平" 。 该 公 司 指 出 ， 买 家 越 来 越 倾 向 于 寻 求 能 够 比 绿 地 项 目 更 快 上 线 的 棕 地 晶 圆 厂 。 联 席 总 经 理 Pat Sedlmayer补充道，出售的决定符合LA Semiconductor精简运营、专 ...

光刻技术发展背景与EUV现状 - 当前最先进芯片制造基于极紫外光刻技术，工作波长为13.5 nm，可实现13 nm至理论4-5 nm的特征尺寸，但系统极其复杂且成本高达数亿美元[1] - 光刻技术发展历程中，光源波长从436 nm的g线、365 nm的i线，演进至248 nm的KrF、193 nm的ArF深紫外光源，再到当前13.5 nm的极紫外光源[2] - 13.5 nm波长被选为当前EUV标准是因为其在钼/硅多层镜上拥有高达70%的反射率，这是实现可行EUV机器的关键[4] Beyond-EUV技术原理与潜力 - Beyond-EUV使用波长更短的6.5 nm至6.7 nm软X射线，理论上可将光刻分辨率提升至5 nm及以下[1][7] - 6.7 nm波长具备第二高的反射率，约为13.5 nm波长反射率70%的一半，即61%，但光线在到达晶圆前需反射11次，导致其整体透射效率仅为13.5 nm波长的四分之一[4] - 与13.5 nm波长反射率曲线宽且稳定不同，6.7 nm波长的反射率曲线非常尖锐，对光源和镜面周期匹配的精度要求极高，任何不匹配都会显著降低反射率[5] Beyond-EUV面临的技术挑战 - B-EUV光源尚未形成行业标准，产生6.7 nm波长辐射的方法多样但未统一，且高光子能量与传统光刻胶材料相互作用差[5] - 由于6.5 nm至6.7 nm波长的光几乎会被所有物质吸收，此前尚未生产出适用于该波长的多层镀膜镜[5] - 构建B-EUV光刻工具需要从零开始设计，目前缺乏支持该技术的生态系统，包括组件和耗材[7] 新兴光源技术方案 - 劳伦斯利弗莫尔国家实验室正测试其自主研发的大孔径铥激光器，旨在将EUV光源效率提升至当前二氧化碳激光器标准的10倍左右[8] - 初创公司Inversion利用激光尾波场加速现象，可将用于产生高能光的传统粒子加速器尺寸缩小1000倍，从几公里缩小至桌面大小，其光源目标波长包括13.5 nm及下一代6.7 nm[10] - 初创公司xLight采用自由电子激光器技术，其产生的EUV功率比当前激光产生等离子体装置高出4倍，单个系统最多可支持20台ASML扫描仪，使用寿命长达30年，声称可将每片晶圆成本降低约50%[11][12] 光刻胶材料的新突破 - 约翰·霍普金斯大学研究发现，金属锌能有效吸收B-EUV光并发射电子，引发咪唑有机化合物的化学反应，从而在晶圆上蚀刻精细图案[13] - 团队开发出化学液相沉积技术，能以每秒1纳米的速度生成均匀的非晶沸石咪唑酯框架薄层，该技术可快速测试不同金属-咪唑组合，以匹配不同光刻波长[14] - 研究指出至少有10种不同金属和数百种有机物可用于此类化学反应，为未来芯片制造技术提供了灵活性和材料选择空间[14] 技术总结与未来展望 - 约翰·霍普金斯大学的研究突破了B-EUV技术的关键瓶颈之一，即找到了能在6 nm波长下工作的光刻胶材料及相应的薄膜沉积工艺[15] - 化学液相沉积工艺的应用范围广泛，不仅限于半导体光刻，还可应用于传感器和分离膜等领域[14][16] - 尽管B-EUV技术仍需在光源功率、掩模版等方面取得突破，且尚未明确进入大众市场，但相关基础研究已为其未来发展奠定了基础[16]

港股市场表现 - 9月11日午后港股三大指数集体下跌 半导体板块集体拉升 创新药概念跌幅居前[1] - 恒生科技指数ETF（513180）小幅下跌 持仓股中美团、理想汽车、百度集团、哔哩哔哩、小鹏汽车跌幅居前 中芯国际、华虹半导体、商汤涨幅居前[1] - 南向资金连续9个交易日净买入港股 当日盘中净买入超100亿港元[1] 资金流向变化 - 近7个交易日南向资金大幅净卖出泡泡玛特26.69亿港元[1] - 同期大幅净买入阿里巴巴225.18亿港元 地平线机器人35.01亿港元[1] - 资金流向发生突变 抛弃年内暴涨股 重新青睐港股AI核心资产[1] AI产业投资趋势 - 资金正在寻找AI硬件与应用的"出口" 港股互联网板块处于潜在受益位置[2] - 阿里巴巴持续加大AI芯片自研投入 强化核心算力环节话语权[2] - 海外甲骨文AI云业务指引超预期 体现全球AI与云服务需求增加[2] 科技指数配置价值 - 恒生科技指数ETF（513180）标的指数具有纯正"硬科技"属性[2] - 囊括人工智能、智能驾驶、游戏传媒、芯片制造等行业龙头公司[2] - 重仓股包括阿里巴巴、腾讯控股、小米集团、网易、中芯国际等[2] - 成分股中医疗保健概念股权重仅3.06%[2]