会议概况 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，第五届举办，主题聚焦光刻技术、材料及设备国产化[9][23] - 时间地点：2025年7月9日-10日，合肥新站利港喜来登酒店，规模300人[11][19] - 会议形式：三大专场（先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备）+学术研讨+会展结合[12][13][14] - 主办方：势银（TrendBank），协办方深芯盟，承办方势银芯链[11][35] 核心议题与演讲内容 - **先进光刻技术专场**：涵盖EUV、电子束光刻、纳米压印技术，演讲包括合肥晶圆厂的先进制程突破、京东方TFT-LCD光刻胶技术、复旦大学导向自组装图形化技术等[6][9] - **光刻胶与湿电子化学品专场**：讨论BARC/TARC应用、PSPI光刻胶产业化、硅基光刻胶研发，涉及彤程新材、波米科技等企业[7] - **掩膜版与光刻装备专场**：分析掩膜版产业趋势、光刻设备国产化挑战，上海芯东来半导体等企业参与[8] - 特邀嘉宾：上海市计测院李春华分享光刻配套试剂检测与超净实验室运营，其团队在湿电子化学品等领域通过CNAS/CMA认证[3][4] 行业背景与挑战 - 光刻技术是半导体制造核心环节，但国内面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品纯度不足、掩膜版原料依赖进口、光刻机被国外垄断等"卡脖子"问题[20] - 全球地缘政治加剧供应链风险，需通过产学研合作提升自主可控能力，大会旨在促进技术交流与产业链协同[22] 参会企业与产业链覆盖 - 拟邀企业覆盖全产业链：上游原料（东京应化、富士胶片）、中游光刻胶（彤程新材、北京科华）、下游晶圆厂（中芯国际、长江存储）[24][25][26] - 湿电子化学品及特种气体企业包括德国巴斯夫、江化微、南大光电等[25][26] 会议服务与费用 - 报名费用：6月30日前2600元/人，7月1日后2800元/人，含会议资料、自助午餐及晚宴[14] - 酒店协议价：合肥新站利港喜来登酒店，报会议名称可享优惠[21] 主办方信息 - 势银（TrendBank）定位为中国领先产业研究与数据公司，提供数据、咨询及会议服务，工商注册实体为宁波膜智信息科技有限公司[1][35]

会议概况 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，聚焦光刻技术、材料及设备国产化与产业升级 [12][16] - 时间地点：2025年7月9日-10日于合肥新站利港喜来登酒店，规模300人 [5][16] - 报名费用：6月30日前2600元/人，7月1日后2800元/人，含会议资料、自助午餐及晚宴 [17] 会议内容与亮点 - **三大专场**： - 先进光刻技术专场：涵盖EUV、电子束光刻、纳米压印等技术进展 [9][12] - 光刻胶与湿电子化学品专场：讨论BARC、PSPI光刻胶等材料国产化 [10][12] - 掩膜版与光刻设备专场：分析显示掩膜版趋势及光刻设备国产化挑战 [11][12] - **学术研讨**：设置光刻技术学术主题，推动产学研融合 [14] - **会+展形式**：提供产业链上下游对接平台，覆盖光刻胶、湿电子化学品、特种气体等全产业链 [15][23][25] 重点演讲与嘉宾 - **主题演讲**： - 杭州中泰氢能科技总经理黎佳荣分享《光刻气体应用与中国稀有气体产业发展》，聚焦电子特气国产化 [6][11] - 京东方LCD开发中心部长汪栋探讨TFT-LCD光刻胶技术 [9] - 华睿芯材总经理胡杨介绍全球首款高耐刻蚀电子束光刻胶 [9] - **其他演讲**：包括复旦大学副研究员李自力谈导向自组装光刻工艺、南开大学教授罗锋分析纳米压印技术等 [9][10] 行业背景与挑战 - **技术瓶颈**：国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品纯度不足，掩膜版原料依赖进口，EUV光刻机被国外垄断 [20] - **国产化需求**：地缘政治下需加强供应链自主可控，推动光刻技术研发与产业生态构建 [21] 参与企业 - **全产业链覆盖**：拟邀企业包括彤程新材、京东方、中芯国际、上海微电子等，涉及光刻胶、湿电子化学品、特种气体、掩膜版及设备领域 [23][25][26] 主办方信息 - 主办单位势银（TrendBank）为产业研究与数据公司，提供会议、咨询等服务 [32]

会议核心内容 - 会议聚焦光刻技术产业链，涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [11] - 会议旨在通过产学研用融合，推动国内光刻技术自主创新，解决高端光刻胶、湿电子化学品、掩膜版和光刻机等领域的"卡脖子"问题 [19][20] - 会议设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备，覆盖全产业链 [12] 会议亮点 - 20+光刻产业链嘉宾演讲，包括京东方、复旦大学、甬江实验室等机构专家 [7][8][9] - 学术研讨环节聚焦光刻技术理论基础，如导向自组装光刻工艺、混合键合技术等 [7][13] - 采用"会+展"形式，提供上下游供应链对接平台 [15] 会议议程 7月9日上午（先进光刻技术专场） - 主题包括：AI时代先进制程突破、TFT-LCD光刻胶技术、纳米压印/电子束/DSA技术方向、混合键合在异构集成中的应用 [7] - 演讲嘉宾来自合肥晶圆厂、京东方、南开大学、甬江实验室等 [7] 7月9日下午（光刻胶与湿电子化学品专场） - 议题涵盖：BARC/TARC应用、PSPI光刻胶产业化、硅基光刻胶开发、湿电子化学品关键技术 [8] - 参与企业包括彤程新材、永光化学、河北凯诺中星等 [8] 7月10日上午（掩膜版与光刻装备专场） - 讨论内容涉及显示掩膜版趋势、光刻设备中国机遇、涂胶显影设备产业化、光刻气体应用等 [9] - 演讲方包括深圳清溢光电、上海芯东来半导体、杭州中泰氢能等 [9] 参会机构与产业链覆盖 - 拟邀企业覆盖光刻胶产业链（东京应化、住友化学等）、湿电子化学品（德国巴斯夫、江化微等）、掩膜版（清溢光电、龙图光罩等）及设备（上海微电子、奥格流体等） [22][23][24] - 甬江实验室微纳平台作为重要参会方，拥有6/8英寸研发线及165台/套高端设备，专注光学器件与异构集成技术 [5] 会议基本信息 - 时间：2025年7月9日-10日 - 地点：合肥新站利港喜来登酒店 - 规模：300人 - 费用：早鸟价2600元/人（6月30日前），正常价2800元/人 [14][15] 行业背景 - 光刻技术是半导体制造核心环节，国内面临高端光刻胶自给率低、掩膜版原料依赖进口、EUV光刻机被垄断等挑战 [19] - 甬江实验室等机构正推动微纳光学与芯片异构集成技术研发，其8英寸验证线可支持高精度对准、低温键合等工艺 [5]

会议概况 - 会议名称为"2025势银光刻产业大会"，由势银(TrendBank)主办，深芯盟协办，势银芯链承办，将于2025年7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举行，规模300人 [15] - 会议聚焦光刻产业链，涵盖极紫外光刻(EUV)、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [13] - 会议设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备，覆盖全产业链 [14] 会议议程 - 7月9日上午为先进光刻技术与产业发展专场，包括合肥长鑫、京东方、南开大学等机构的主题演讲，内容涉及TFT-LCD光刻胶技术、纳米压印技术等 [10] - 7月9日下午为光刻胶与湿电子化学品专场，包括势银分析师对中国大陆光刻胶市场的分析，以及彤程新材、波米科技等企业的技术分享 [11] - 7月10日上午为掩膜版与光刻装备专场，涵盖显示掩膜版产业、半导体光敏聚合物研发等议题 [12] 参会企业与嘉宾 - 拟邀企业覆盖光刻产业链上下游，包括东京应化、住友化学、陶氏杜邦等国际巨头，以及中芯国际、华虹宏力、京东方等国内企业 [24][25] - 江苏集萃光敏电子材料研究所总经理朱晓群将分享"半导体光敏聚合物研发及产业化检测技术挑战"主题报告 [1][4][6] - 朱晓群博士主导研发多款KrF树脂、光伏树脂，已通过测试并批量供货，主持国家级项目30多项，获中国感光学会科技进步一等奖 [7] 行业背景与挑战 - 光刻技术是半导体制造的关键环节，直接影响芯片性能与生产成本，但目前国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品部分依赖进口，掩模版原料主要来自国外 [21] - 光刻机领域被国外垄断，国内企业在技术水平、制造精度等方面与国际先进水平存在差距，成为"卡脖子"环节 [21] - 全球地缘政治摩擦加剧背景下，需加强光刻技术自主可控能力，通过产学研合作推动技术创新与产业升级 [22] 公司动态 - 江苏集萃光敏电子材料研究所成立于2021年6月，由江苏省产业技术研究院等三方共同投资设立，专注于光刻胶原材料及工艺装备研发 [7] - 公司2023年获批高新技术企业，加入"集成电路光刻胶产业创新联盟"，数款KrF光刻胶树脂已通过客户测试并实现小批量销售 [8] - 公司在泰兴市成立江苏集萃聚合新材料有限公司，专注光刻胶树脂产业化建设 [8] 会议亮点 - 设置20+光刻产业链嘉宾演讲，涵盖主题演讲与细分专题互动 [14] - 采用"会+展"形式，构建产业互动平台，促进上下游供应链对接 [17] - 包含学术研讨环节，聚焦光刻技术理论与研发，为产业发展提供基石 [16]

光刻产业技术发展 - 半导体芯片集成高密化和线路精细化进程中，光刻与刻蚀工艺起决定性作用，尤其在前道制程中光刻机与刻蚀机分辨率直接影响集成电路精细化水平[1] - 光刻机技术演进路径清晰：从g-line(436nm)、i-line(365nm)到KrF(248nm)、ArF(193nm)，再到浸没式ArFi(134nm)和EUV(13.5nm)，制程节点从0.5µm逐步突破至3nm[2] - 金属材料随制程升级从铝(Al)过渡到铜(Cu)，晶圆尺寸从200mm全面转向300mm[2] 中国光刻机研发现状 - 中国光刻机研制始于70年代接触式曝光系统，但产业化滞后受早期"造不如买"思潮影响[3] - 国家战略推动发展：2002年ArF光刻机列入"863计划"，2008年启动"02专项"，形成科研院所+高校+整机厂的类ASML协作模式[3][4] - 主要研发机构包括中科院微电子所、长春光机所、上海光机所及清华、浙大、哈工大等高校[3] 国产光刻机产业链突破 - 整机领域：上海微电子已实现90nm ArF光刻机(SSA600系列)出货，上海芯东来完成i-line/KrF光刻机出货[5] - 核心子系统： - 光源系统：科益虹源193nm ArF激光器完成出货，40W 4kHz KrF激光器量产[5] - 光学系统：国望光学交付90nm ArF曝光系统，28nm浸没式系统在研[5] - 双工件台：华卓精科干式光刻机工件台已供货，浸没式工件台(DWSi)研发中[5] - 浸没系统：启尔机电提供超洁净流控系统及零部件[5] 行业活动与平台 - 势银(TrendBank)将于2025年7月9-10日举办第五届光刻产业大会，聚焦先进光刻技术、材料及设备的最新进展与挑战[7] - 势银定位为产业研究与数据平台，提供数据产品、研究服务及行业会议，覆盖半导体等领域[13]

光刻技术发展背景 - 纳米级元件制造能力推动高性能设备生产及多行业技术进步[2] - 全球半导体研发投入显著：美国政府2800亿美元《芯片与科学法案》、欧盟500亿美元芯片产能扩张计划、台积电330亿美元新厂投资[2] - 医疗、能源、通讯等行业受益于微型化技术（如腹腔镜手术、芯片实验室诊断等）[2] 传统光刻技术分析 - 主流技术包括紫外光刻（分辨率1μm）、深紫外光刻（65-130nm）、极紫外光刻（<10nm）及电子束光刻（>10nm）[5] - 技术痛点：分辨率受波长限制、基板平整度要求高、设备成本昂贵（如极紫外光刻掩模易翘曲）、低吞吐量（电子束光刻）[5] - 材料局限性：传统光刻胶难以适配玻璃/陶瓷等非硅基材料，多组件空间排列需复杂多步骤工艺[3] 新兴光刻技术突破 - 浸没式光刻（38nm）通过液体介质提升分辨率，纳米压印光刻（<3nm）实现高吞吐量低成本[8][9] - 边缘光刻（<100nm）、电流体动力学光刻（<50nm）利用物理场效应简化工艺[9] - 磁流变拉伸光刻可生成微针阵列（高度600-700μm），纳米转移印刷支持3D结构跨基材复制[9] 行业需求与挑战 - 需开发单步工艺以集成多尺度制造，解决现有技术在大面积基板扩展性不足的问题[6] - 智能设备需求驱动对多功能材料兼容性（如铁电/导电材料）及高保真图案化的要求[6][7] - 新兴技术需平衡分辨率（如双光子光刻150nm）、成本（嵌段共聚物光刻低成本）与量产可行性[8][9] 产业动态 - 势银将于2025年7月举办第五届光刻材料产业大会，聚焦供应链协同创新[11] - 研究机构持续探索替代技术（如毛细管力光刻、纳米球光刻）以突破物理限制[9]

EUV光刻技术发展现状 - ASML垄断先进光刻机市场，其EUV光刻机采用13.5nm波长光源，通过锡滴喷射和反射镜系统实现芯片制造[1][2] - 3nm以下工艺对EUV依赖度提升，ASML通过提高数值孔径（NA）进入High NA EUV时代，但4万亿美金成本令台积电等客户犹豫[1] - ASML计划十年内实现EUV光源输出功率1千瓦（输入功率1兆瓦），当前系统因反射镜尺寸扩大导致复杂度和成本激增[2] 新兴光刻技术竞争者 Inversion Semiconductor的粒子加速器方案 - 采用Laser Wakefield Acceleration（LWFA）技术，通过等离子体波将电子加速至GeV级能量，产生相干X射线[3][4][6] - 技术优势：将传统加速器体积缩小1000倍至桌面尺寸，晶体管密度提升100%，临界尺寸均匀性提高25%[4] - 与劳伦斯伯克利国家实验室合作开发STARLIGHT光源，目标输出1千瓦软X射线（20-6nm波长），可支持多台光刻机并联[6] - 计划开发LITH-0系统，在相同NA下实现晶体管密度翻倍、吞吐量3倍于现有EUV设备[7] Lace Lithography的原子光刻技术 - 利用亚稳态原子和色散力掩模实现2nm分辨率，比EUV极限更优，成本与能耗更低[8][9] - 技术原理：通过氦原子束扫描实现无掩模直写，结合菲涅尔区板聚焦使探针直径达10nm级[10][12] - 商业化路径：2022年成立分拆公司，目标2031年前推向市场[13] Atum Works的3D打印方案 - 纳米级3D打印技术可降低芯片制造成本90%，但逻辑芯片性能落后主流20年[14][15] - 技术特点：100nm体素精度、晶圆级多材料沉积，适用于封装/光子学/传感器领域[15] - 对比EUV：当前EUV分辨率达13nm，而3D打印优势在于复杂三维结构集成[15][16] 行业技术路线竞争 - EUV仍是主流，但新兴技术从光源（粒子加速器）、成像方式（原子光刻）、制造范式（3D打印）多维度突破[1][8][14] - 技术替代窗口：Lace Lithography预计10年商业化，3D打印聚焦非逻辑器件，Inversion方案需验证光源稳定性[6][13][16]

台积电研发战略 - 台积电在2018年建立前瞻性研究实验室，专注于与当前产品路线图不直接相关的技术探索[2] - 研发团队由来自大学、其他公司及内部人才组成，分布在台湾新竹和美国加州圣何塞(约20人)[3] - 研发分为两个阶段：先验证基础材料与器件技术可行性，再进行技术整合[3] - 台积电开始公开未商业化的学术研究成果，改变以往只发表已商业化技术的做法[3] - 公司认为对营收数千亿美元的企业，基础研究投入相当于"战略保险"[4] 半导体技术趋势 - 光刻技术重要性可能在20年内下降，因其成本过高(高数值孔径EUV光刻机)且分辨率需求可能已达极限[4] - 当前尖端制造工艺周期长达7个月(制造5个月+CoWoS封装2个月)[4] - 背面供电和堆叠FinFET等创新技术进一步延长了生产周期[4] - 未来技术发展重点应转向缩短周期时间而非继续提升分辨率[4] 中国半导体产业 - 美国出口限制意外推动中国半导体设备产业发展，创造了本土设备市场需求[5] - 中国半导体领域研究论文数量和质量在过去5-10年显著提升，在重要会议上发表量已超过任何单一美国大学[7] - 中国大学在确立新研究方向方面仍有不足，但追赶能力突出[7] - 中国本科生占全球半导体专业学生总数一半以上[6] 行业领导力 - 台积电在7纳米节点超越英特尔成为全球芯片制造领导者[2] - 行业领导者需要前瞻性团队识别优秀技术并获取应用，避免错失机会[3] - 摩尔定律仍有效，技术发展目标指向0.1纳米(氢原子尺度)[1]

光刻胶分类与特性 - 光刻胶按化学反应原理分为正性光刻胶和负性光刻胶 [3] - 正性光刻胶受光照射后发生分解反应，可溶于显影液，具有分辨率高、对比度好的优点，但粘附性差、抗刻蚀能力差且成本高 [3] - 负性光刻胶曝光后形成交联网格结构，在显影液中不可溶，具有良好粘附能力和抗刻蚀能力，感光速度快，但显影时易发生变形影响分辨率 [3] - 按显示效果分类，正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同，负性光刻胶形成的图形与光罩相反 [7] - 正胶曝光后溶解度是未曝光时的10倍，在IC制造中应用更普遍 [8] 光刻胶成分与反应机理 - 正胶主要成分包括树脂、光引发剂等 [11] - 树脂成分为酚醛树脂，由对甲酚与甲醛缩合而成 [12] - 光引发反应中重氮萘醌(DQ)在光照下分解生成茚羧酸(ICA) [21] - DQ与树脂反应后改变溶解性，曝光区域在碱性显影液中溶解度提高 [24] - 负胶按感光性树脂化学结构分为聚肉桂酸酯类和聚烃类-双叠氮类 [40] - 聚肉桂酸酯类通过侧链肉桂酰基团二聚反应交联 [43] - 聚烃类-双叠氮类需交联剂参与形成三维不溶结构 [48] 光刻胶工艺流程 - 光刻胶工艺步骤包括基底清洗、表面处理、旋涂、对准曝光、显影等 [54] - 预处理阶段使用HMDS作为粘附促进剂，需正确使用蒸汽沉积方法 [66][67] - 旋涂工艺中转速与膜厚关系密切，4000rpm是薄胶常用参考点 [77] - 前烘温度和时间对正胶和负胶的显影效果有显著影响 [88][90] - 显影液选择需考虑与光刻胶兼容性、金属离子含量等因素 [102][105] 半导体光刻胶市场格局 - 光刻胶占晶圆制造成本约12% [161] - 全球市场被JSR、东京应化、杜邦等海外企业垄断 [164] - 国内企业如彤程新材、晶瑞电材等在g/i线和KrF胶有所突破，但高端ArF和EUV胶仍依赖进口 [165] - 发展痛点包括光刻机限售、原材料垄断和上下游强绑定等 [171][174][176]

光刻技术发展中的关键挑战 - EUV光刻掩模成本高昂，制造、维护和更换的总费用显著高于非EUV掩模，且生命周期内价格差异巨大[1] - 非EUV光刻面临旧工具折旧问题，引入新工具将导致每小时掩模成本增加500美元，对低产量零件和价格敏感市场造成困扰[1] - EUV掩模寿命短于DUV或浸没式光刻掩模，需频繁清洁和备用掩模，进一步增加总成本[3] - EUV扫描仪需要更高剂量以实现最佳图案印刷，导致实际吞吐量低于规格，每小时处理晶圆数量线性减少[3] - 专用EUV掩模检测工具昂贵且使用频率低，每次使用成本高，推高整体掩模成本[4] - 循环时间成为比成本更大的问题，缩短原型制作和交付新设计时间是EUV扩大用户群的关键[4][5] EUV与非EUV的应用策略 - 新AI芯片开发倾向于在更便宜的193i节点验证，而非直接从EUV节点开始，待产量提升后再考虑EUV[2] - EUV主要用于大批量或极高价值产品，行业已接受其高掩模成本[2] - 非EUV前沿节点面临与EUV相似的挑战，公司需在预算和光刻限制间寻找平衡[2] - 曲线掩模等技术同时适用于EUV和非EUV光刻，帮助提升图形质量以保持竞争优势[2] - 内存行业因吞吐量考虑不使用薄膜，但需承担更频繁清洁和备用掩模的成本[3][14] 多重曝光技术的必然性 - EUV未来必然需要多重曝光技术，高数值孔径(high-NA)将使用多重曝光避免超高数值孔径需求[6] - 目前所有大批量生产节点采用单次曝光EUV，但研发中公司都在为下个节点研究EUV多重曝光[7] - 英特尔明确将在14A节点使用高NA EUV，因单次曝光无法满足规格要求[7] - 多重曝光技术可延长EUV寿命，半场高NA在成本上难以与多重曝光EUV竞争[7] - 早期EUV生产实施可能已是双重曝光接触层，因当时抗蚀剂不足支持单次曝光[8] 掩模材料与工艺演进 - EUV掩模从二元反射型演进至衰减型/低折射率反射型，改善图像对比度和减少晶圆图案问题[10] - 研究不同n和k值掩模材料以优化特定图案性能，选择性匹配吸收体特性可获更好成像效果[10] - 金属氧化物抗蚀剂比传统CARs具有更高对比度和更好耐蚀性，尤其适用于接触层和柱层[10][11] - 掩模空白特性定制化(如吸收体厚度调整)是扩大晶圆工艺裕度的重大机会[11] - 锡基外的新元素(如碲、锑)抗蚀剂研究旨在通过新化学方法获得更高EUV吸收[12] EUV薄膜的挑战与改进 - EUV薄膜面临传输率和耐用性双重挑战，光需两次穿过薄膜导致20%能量损失[14][15] - 当前多晶硅薄膜反射DUV光需特殊DGL膜过滤，额外造成20%吞吐量损失[15] - 碳纳米管薄膜对DUV反射少且EUV传输率更高，但当前仅能承受不到1万次晶圆曝光[15] - 薄膜更换需重新检查掩模，过程昂贵复杂且缺乏标准化，影响吞吐量和掩模管理[16] - 大芯片(如800平方毫米GPU)需薄膜避免致命缺陷，而内存应用可依赖冗余功能[16]