台积电与阿斯麦高NA光刻机合作计划 - 台积电宣布从2030年起在量产环节采用阿斯麦新款极紫外（EUV）“高NA”光刻机 [1] - 两家企业将联手跨行业推进高NA光刻机的改良 [1] - 阿斯麦从2023年12月开始供货高NA光刻机，英特尔已引入，台积电此前因成本高昂暂缓量产 [3] 技术改进与成本优化 - 台积电与阿斯麦启动跨行业项目，将光掩膜从6英寸见方扩大到12英寸见方 [3] - 将开发适配大尺寸掩模的高NA光刻机及相关零部件 [3] - 计划到2031年搭建大尺寸掩模试产线，2033年前完成适配大掩模的高NA设备 [3] - 高NA光刻机单次可绘制面积仅为旧型号一半，大尺寸芯片需多次曝光导致成本上升 [5] - 扩大光掩模尺寸旨在提升单次曝光面积，压低生产成本 [5] 行业合作与前景 - 多家主流半导体厂商、掩膜企业表达了参与意向 [3] - 台积电董事长魏哲家表示希望集合全产业链技术积累，降低技术门槛，让先进方案大规模落地 [5]