氮化镓激光二极管是基于第三代半导体材料氮化镓（ GaN ）的光电器件，具有高效率、高功率、宽波长范围等优点，通过电子空穴复合产 生激光，主要发射紫光、蓝光、绿光等短波长激光。 市场前景广阔 ： GaN 激光二极管是高价值、高利润的产品。其增长受到高科技设备日益普及的推动，这些设备涵盖光学显示器、光存储、 工业以及医疗设备等领域，为 GaN 激光二极管提供了广阔的应用空间。 行业竞争格局复杂 ： 随着市场需求的不断变化，消费者对产品性能、质量和价格的要求也日益提高。从单模和双模激光二极管到具有不同 波长和功率水平的产品，企业需要不断创新并扩展其产品组合，才能在市场中保持竞争力 。 政策和法规环境 推动 ： GaN 激光二极管的核心挑战集中在材料缺陷控制和工艺复杂性上， GaN 激光二极管必须在外延生长、热管理、成 本控制等方面不断取得突破 。 根据 QYResearch 最新调研报告显示， 预计到 2031 年全球规模将达到 1758.43 百万美元 ， 2025 至 2031 期间年复合增长率为 7.71% 。 就产品类型而言，目前 多模 是最主要的细分产品，占据大约 72.1% 的收入份额。 全球范围内，氮 ...

股价表现 - 7月31日股价报26.58元，较前一交易日下跌1.02元，跌幅3.70% [1] - 当日成交额5.12亿元，换手率8.91% [1] 主营业务 - 主营业务为半导体功率器件的研发、生产和销售 [1] - 产品广泛应用于工业控制、新能源及消费电子等领域 [1] - 属于半导体行业，涉及IGBT、第三代半导体等细分领域 [1] 公司动态 - 股东宏众咨询通过集中竞价方式累计减持82万股，占公司总股本的0.39%，减持计划已实施完毕 [1] - 董事会提名邓二平为非独立董事候选人，以填补原董事辞职后的空缺 [1] 资金流向 - 7月31日主力资金净流出3405.71万元，占流通市值的0.6% [1]

公司公告摘要 - 每周日至每周四推送明日股市重大公告 包括停复牌、增减持、投资中标、收购、业绩、解禁、高送转等个股利好利空公告 [1] - 重要公告以红色标注 帮助投资者提前寻找投资热点并防范黑天鹅事件 [1] 重点公司分析 公司1 - 业务覆盖PCB概念、光刻机、先进封装和第三代半导体 [1] - 中国直写光刻设备领域的领军企业 [1] 公司2 - 业务涉及铜缆高速连接、机器人、数据中心、华为和光伏 [1] - 高频高速铜缆连接线主要供应安费诺 [1] 公司3 - 业务涵盖创新药、减肥药、医美和人工智能 [1] - 今年多个创新药适应症管线获得临床试验批准 [1]

香港参与"一带一路"创科合作进展 - 香港特区政府与国家发改委及中央部委举行联席会议，汇报创科领域参与"一带一路"建设进展[2] - 过去一年推动与内地及"一带一路"国家创科合作，包括与斯洛伐克签订科研合作备忘录[2] - 香港生产力促进局成立"The Cradle出海服务中心"助力企业拓展"一带一路"市场[2] - 未来将通过国际展会、三大创科园区互访等方式深化国际合作[2] 半导体与新能源汽车产业考察 - 香港代表团考察内地半导体设备、芯片制造及新能源汽车领军企业[3] - 鼓励内地企业利用香港国际化优势拓展海外科研合作与业务[3] - 香港特区政府2022年《创新科技发展蓝图》明确聚焦半导体及新能源汽车产业链发展[3] 香港微电子产业发展规划 - 香港微电子研发院已组建核心团队，第一期设备年内安装调试[4] - 两条中试线预计2025年投入运作[4] - 香港具备雄厚科研实力和国际微电子专家资源[3] - 元朗微电子中心将推动第三代半导体核心技术研发与产业化[3] - 微电子中心建设具有战略意义，可产生技术牵引和产业集聚效应[5]

炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！ 出品：新浪财经上市公司研究院 作者：喜乐 近日，广东天域半导体股份有限公司Guangdong Tianyu Semiconductor Co., Ltd.（以下简称"天域半导体"）在港交所递交招股书，拟在香港主板挂牌上市，中 信证券担任独家保荐人。公司已于2025年6月12日获得证监会备案，预计将于近期通过港交所聆讯，并启动发行上市。根据招股书，本次港股IPO募集资金 将用于：1）未来五年内用于扩张整体产能，从而提升市场份额及产品竞争力；2）未来五年内用于提升自主研发及创新能力，以提高产品质量及缩短新产品 的开发周期，从而更迅速地回应市场需求；3）战略投资及╱或收购，以扩大客户群、丰富公司的产品组合及补充公司的技术，从而实现长远发展策略；4） 扩展全球销售及市场营销网络；5）营运资金及其他一般企业用途。 作为国内碳化硅外延片产业化"先行者"，天域半导体3年估值增长近17倍——然而，与高估值形成对比的是，其业绩呈现剧烈波动——2024年营收同比腰斩 至5.2亿元，净亏损达5亿元，同时还面临3.52亿元存货减值、5.64亿元应收账款坏账计提 ...

芯东西7月24日报道，7月22日，中国首家碳化硅外延企业天域半导体递表港交所。 | 項下 编纂 數目 | | : [编纂]股H股(視乎[编纂]行使與否而定) | | --- | --- | --- | | 编纂 数目 | .. | 编纂]股H股(可予重新分配) | | 编纂 數目 | … | 编纂]股H股(可予重新分配及視乎[编纂]行使與否而 | | | | 定) | | 最高 编纂 : | | 每股H股[編纂]港元,另加1.0%經紀佣金、0.0027% | | | | 證監會交易徵費、0.00565%聯交所交易費及 | | | | 0.00015%會財局交易徵費(須於I編纂]時以港元 | | | | 繳足,多繳股款可予退回) | | 面值 | : : | 每股H股人民幣1.00元 | | ■纂 | | 【编纂】 | 根据弗若斯特沙利文资料，天域半导体2024年在中国碳化硅外延片行业的收入及销量均排名第一。 截至2025年5月31日，天域半导体6英寸及8英寸外延片的年度产能约为42万片，使其成为中国具备6英吋及8英吋外延片产能的最大公司之一。 天域半导体于2009年1月7日在广东东莞成立，填补了国内产业链的空 ...

收购交易概况 - 公司拟以58 97亿元收购芯联越州72 33%股权 交易完成后将实现全资控股 [1] - 收购旨在整合资源 强化功率半导体 碳化硅(SiC)及高压模拟IC等高端领域竞争力 [1] 芯联越州业务与技术优势 - 芯联越州定位高端半导体制造 8英寸IGBT和硅基MOSFET产能达7万片/月 6英寸SiC MOSFET产能为8千片/月 [1] - SiC MOSFET产品90%以上应用于新能源汽车主驱逆变器 2023年及2024年上半年车载主驱6英寸SiC MOSFET出货量国内第一 [1] - 在高压模拟IC领域实现突破 填补国内中高压模拟IC技术空白 服务于新能源汽车和高端工控领域 [2] - 8英寸SiC MOSFET工程批2024年4月下线 预计2025年量产 有望成为国内首家实现8英寸SiC MOSFET规模量产企业 [2] 产能整合与战略规划 - 母公司现有8英寸晶圆产能10万片/月 主要从事功率半导体和MEMS代工业务 [2] - 收购后将整合芯联越州8英寸硅基产能(7万片/月) 优化管理效率 [2] - 计划在SiC MOSFET VCSEL(GaAs)及高压模拟IC等高附加值领域加大投入 推动技术迭代和市场拓展 [2] 行业与市场影响 - 交易有助于把握新能源汽车 光伏及储能市场对碳化硅器件的快速增长需求 [2] - 巩固公司在第三代半导体领域的领先地位 加速国产替代进程 [2] - 未来将持续聚焦高端功率半导体和特色工艺平台 深化产业链协同 提升全球竞争力 [2]

功率分立器件行业概述 - 功率分立器件是分立器件市场的核心支柱，具有电能转换、电路控制及动态调节电压/频率/交直流形态的核心功能，在高电压、大电流场景中具有不可替代性 [1] - 产品分类包括二极管、晶体管、晶闸管类和宽禁带器件，按材料可分为硅基与第三代半导体（SiC/GaN），按控制方式分为电压驱动型（如MOSFET）与电流驱动型（如BJT） [2] - 与普通分立器件相比，功率器件专注于高电压、大电流的电能转换与控制，适用于工业电机、新能源及电动汽车等高功率场景 [4][5] 全球及中国功率分立器件市场现状 - 2024年全球功率分立器件行业增速回升至3.5%，2025年市场规模有望超过365亿美元 [11] - 2024年中国功率分立器件市场规模达480亿元，同比增长12%，2025年有望突破650亿元，年复合增长率维持在12%左右 [1][13] - 中国新能源汽车2025年1-5月产销量分别达569.9万辆和560.8万辆，同比激增45.2%和44%，带动功率器件需求向高压化、高频化、集成化方向升级 [9] 中国功率分立器件产业链 - 上游原材料及设备国产化率不足30%，高端材料与设备仍依赖进口 [7] - 中游器件制造采用IDM、Fabless和Foundry三种模式，国内企业在二极管、晶闸管等中低端领域已实现较高国产化率 [7] - 下游应用以新能源汽车、工业控制和消费电子为核心驱动力，光伏储能、5G基站等新兴领域加速SiC/GaN器件渗透 [7][9] 中国功率分立器件竞争格局 - 第一梯队由安世半导体和比亚迪半导体领衔，在车规级功率器件和SiC/GaN领域具备全球竞争力 [17] - 第二梯队以士兰微、华润微和斯达半导为代表，通过IDM模式加速国产替代，在IGBT和MOSFET市场占据重要地位 [17] - 第三梯队包括扬杰科技、新洁能等企业，专注功率二极管和消费电子等细分市场 [17] 中国功率分立器件发展趋势 - SiC/GaN等第三代半导体技术加速渗透，2024年SiC MOSFET市场规模增速超30%，预计2025年SiC器件在新能源汽车中的渗透率将达25% [21] - 国产替代进程持续深化，中低端市场替代率已超60%，高端市场进口占比约40%，2025年高端市场自给率有望提升至30% [22] - 应用场景多元化发展，新能源汽车、光伏储能和工业控制成为主要增长引擎，消费电子和5G通信领域需求回暖 [23]

市场表现 - 7月16日恒生指数下跌0 29%至24517 76点 英诺赛科股价上涨9 55%至41 85港元/股 成交量734 99万股 成交额2 98亿港元 振幅10 73% [1] - 最近一个月累计涨幅3 24% 今年以来累计涨幅22 24% 跑输恒生指数同期22 58%的涨幅 [1] 财务数据 - 2024年12月31日营业总收入8 28亿元 同比增长39 77% 归母净利润亏损10 46亿元 同比收窄5 11% [1] - 毛利率-19 48% 资产负债率46 44% [1] 行业估值 - 半导体行业市盈率TTM平均值26 15倍 中值7 36倍 英诺赛科市盈率-29 8倍 行业排名第15位 [1] - 可比公司市盈率：中电华大科技4 77倍 AV CONCEPT HOLD 6 77倍 元续科技7 36倍 芯智控股8 33倍 靖洋集团11 53倍 [1] 公司业务 - 专注于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发制造 采用IDM全产业链模式 [2] - 运营全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线 核心技术团队由国际一流半导体专家组成 [2] - 战略目标是通过低成本高品质GaN器件推动技术市场化应用 [2]

氮化镓行业发展趋势 - 氮化镓(GaN)正在数据中心和汽车领域获得重要应用，NVIDIA推动800V HVDC数据中心电力基础设施过渡，预计从2027年开始支持1MW及以上IT机架，GaN将扮演关键角色 [1] - Yole Group预测功率GaN器件市场将在2023-2029年间增长十倍，市场规模超过20亿美元，复合年增长率达41% [1] - 汽车厂商开始引入GaN技术，看重其更高开关频率、功率密度和低导通电阻带来的能量损耗降低优势 [1] GaN代工模式争议 - 台积电将于2027年7月底停止GaN代工生产，主要因低毛利前景不被看好 [6] - 行业分析认为GaN代工在6英寸上性价比低，产能小难以实现技术迭代，8英寸才是可行方向 [6] - 英诺赛科CEO指出IDM模式更适合GaN生产，因其需与设计、应用深度协同 [7] - 英诺赛科2024年GaN器件出货量达6.6亿颗，呈几何级数增长，8英寸月产能1.3万片，良率超95% [7][12] 12英寸GaN发展前景 - 12英寸GaN晶圆可带来明显价格优势，英飞凌预计300mm晶圆芯片产量比200mm提高2.3倍 [10] - 英飞凌计划2025年第四季度提供首批12英寸GaN样品 [10] - 8英寸是GaN生产分水岭，从6英寸到8英寸制造难度指数级增长，12英寸挑战更大 [11] - 英诺赛科计划将8英寸月产能从1.3万片提升至2万片，中长期目标7万片/月 [12] GaN在消费电子外的新机会 - 汽车领域：GaN可用于电池测试系统，宁德时代已采用并实现高效测试和能源节省 [15] - 数据中心：NVIDIA 800V HVDC推动GaN进入服务器电源和GPU供电市场 [17] - 人形机器人：英诺赛科已提供150V/100V全系列GaN产品，100W关节电机驱动产品量产 [17] - 分布式电网：未来汽车电池可作为储能系统，GaN在充放电环节具优势 [16] 行业合作与供应链布局 - 英诺赛科与ST达成氮化镓技术开发与制造协议，将共享制造产能 [18] - ST对英诺赛科进行基石投资锁仓，验证其技术实力 [18] - 英诺赛科开展晶圆合作业务，为南芯、杰华特等客户提供标准化GaN晶圆 [17]