传统封装工艺流程 - 减薄工艺：通过研磨将晶圆厚度从600-800μm减薄至几十至一百μm，目的是减小芯片尺寸、改善散热和电学性能，需注意避免机械强度下降和热应力导致晶圆弯曲[8][9] - 切割工艺：分为机械切割（逐渐淘汰）、激光切割（全切和隐切两种）和等离子切割（适用于超小尺寸芯片），隐切技术可避免热损伤[10][11][12][13] - 贴片工艺：将晶粒与封装基板粘接，常用方法包括胶粘剂粘接（环氧树脂/银胶）、焊接粘接（软/硬钎焊）和共晶粘接（高强度但成本高）[13][14][15] - 焊线工艺：使用金/银/铜/铝线连接晶粒与基板，铜因成本性能均衡成为主流材料，通过热超声焊形成稳定焊点[16][17][18][19] - 检测工艺：采用AOI自动光学检测，具备每分钟数百元件的检测能力，可识别微观缺陷并记录数据用于工艺改进[21][24][25][26][27] - 模封工艺：90%以上采用塑料封装（环氧塑封料EMC），分为转移成型和液态封装两种方式，需后续去溢料和后固化处理[28][29][30] - 植球工艺：BGA封装需在芯片表面精确放置锡球，通过锡膏印刷和加热实现可靠焊接[31][33] - 电镀工艺：管脚无铅电镀采用99.95%高纯锡，需退火处理防止晶须生长[33] - 成型测试：包括切筋成型和成品测试（FT），结合ATE自动测试和SLT系统级测试确保质量[34][36] - 出厂流程：激光打标后按客户要求包装发货[37]