本文源自:金融界 据报道，近日，我国自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备已顺利通过验收并交付国内特 色工艺客户。这一里程碑事件标志着我国在高端半导体装备制造领域迈出坚实步伐，成功打破国外厂商 在该领域的技术垄断。 据悉，PL-SR系列设备实现了多项关键突破，可支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺。这一技术指标 已超越国际巨头佳能同类产品FPA-1200NZ2C（支持14nm线宽）的水平。设备配备自主研发的模板面型 控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统等核心模块，展现出强大的自主创新能力。 目前，该设备已完成存储芯片、硅基微显等多个领域的研发验证。相比传统EUV光刻技术，纳米压印 技术可降低60%的设备投资成本，并将耗电量控制在EUV技术的10%。特别在存储芯片制造领域，该技 术因适合重复性图形结构而展现出独特优势，为国内存储金股讯芯片厂商突破制程瓶颈提供了新的技术 路径。 ...

高NA EUV光刻技术挑战 - 高NA EUV光刻技术面临电路拼接或掩模版尺寸增大的选择 拼接电路需要精确对准 而改用6×11英寸掩模版可消除拼接但需更换大部分掩模制造基础设施 [2] - 高NA EUV的变形镜头将标准6×6英寸光罩曝光范围减半 导致吞吐量下降50% 需两次曝光拼接图案 [2][3] - 2nm掩模间套刻误差会导致图案关键尺寸至少10%误差 良率面临严峻挑战 [3] 拼接技术对良率的影响 - 拼接边界附近光刻胶线宽会变化 接触孔可能出现重复或椭圆形 边界区域需避免放置关键特征 [6] - 黑色边框与未图案化空白区域导致应力松弛 扭曲邻近多层结构 影响空间图像质量 [6] - 辅助特征需精心放置以防相互干扰 跨越边界的晶圆特征需考虑线端重叠与边界相互作用 [5] 拼接感知设计优化 - 完全排除边界区域电路特征可避免问题 但会导致线路绕行 增加3%功耗并降低3%最大频率 [8] - 优化措施包括防止逻辑块分裂 集群化I/O端口 避免边界附近放置标准单元 使拼接面积损失<0.5% 性能下降约0.2% [9] - 特定区域设计规则可改善边界特征打印 但会破坏整体设计一致性 [9] 大尺寸掩模版方案 - 6×11英寸掩模版可解决拼接和吞吐量问题 ASML现有EUV平台可支持该尺寸无需改动光学元件 [11] - 掩模尺寸增大将影响14类设备 部分设备成本可能翻倍 但能避免高NA工具生产效率下降 [11][12] - EUV掩模版面积翻倍加剧应力管理和缺陷控制挑战 但可提升现有0.33 NA光刻机效率 [12] - 1nm技术节点可能是引入大尺寸掩模版的合适时机 因多数设备需升级 [12]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自semiwiki，谢谢。 要点总结： 随着间距的不断缩小，电子模糊、随机性和现在的偏振，都在 EUV 光刻中产生越来越强的影响。 随着 EUV 光刻技术的不断发展，目标是越来越小的间距，新的物理限制不断涌现，成为强大的障 碍。长期以来，随机效应已被认为是关键挑战，而电子模糊最近也得到了深入研究 [3]，现在偏振效 应正日益成为图像质量下降的一个令人担忧的问题。随着行业向 2nm 节点迈进，这些影响形成了一 场完美风暴，威胁着 EUV 印刷特征的质量。模糊和偏振导致的对比度损失使得随机波动更有可能跨 越印刷阈值。 图 1 显示了在 0.55 NA EUV 光刻系统上，18 nm 间距的偏振、模糊和随机性的综合影响。偶极子 引起的衰减 [6] 被忽略，因为它是一个相对较小的影响。如果假设非偏振光 [5]，则对比度损失为 14%，但电子模糊对加剧图像中的随机电子行为的影响更为显著（约 50% 的对比度损失）。总对比 度损失是通过将偏振引起的对比度降低与电子模糊引起的对比度降低相乘得到的。 边缘"粗糙度"非常严重，足以被视为缺陷。随机波动跨越印刷阈值的概率不可忽 ...

核心观点 - 人工智能芯片需求呈指数级增长，但EUV光刻技术的成本和复杂性限制了其普及，行业正通过技术改进和商业模式创新寻求突破[1][2][26] - EUV光刻面临设备瓶颈、掩模缺陷、光刻胶材料限制三大技术挑战，需在光源效率、工艺控制和材料科学方面取得突破[9][12][14][20] - 仅台积电、三星等5家巨头具备EUV量产能力，日本Rapidus计划2027年加入，行业集中度高[6][7] - AI工艺控制成为提升EUV产量的关键，Tignis等公司开发AI驱动计量工具实时优化参数[17][18] 技术进展 EUV设备与产能 - ASML作为唯一EUV设备商面临多年订单积压，NXE:3800E等高端设备已提前数年分配[9] - 政府支持的研究中心（如imec和EUV加速器）投入8.25亿美元推动掩模技术和光刻胶创新[9] - 混合光刻策略（EUV+DUV）和多重图案化技术被广泛采用以降低成本[10][11] 掩模技术 - EUV反射式掩模缺陷率直接影响产量，多光束写入器将生产效率提升数千倍[12] - 新型碳基薄膜使掩模传输率提升至90%以上，寿命延长3倍[12] - 单片掩模成本约10万美元，产量提升仍难抵消高昂投资[13] 光刻胶材料 - 传统化学放大光刻胶（CAR）面临酸扩散和随机缺陷问题，金属氧化物光刻胶（MOR）分辨率更高但工艺敏感[14][15] - Lam Research推出Aether干光刻胶技术，气相沉积使缺陷率降低40%[15] - Irresistible Materials开发多触发光刻胶（MTR），分子尺寸缩小10倍[15] 市场需求 - AI芯片市场规模未来5-7年将增长10倍，台积电2nm工艺订单已排至2026年[7] - Nvidia、AMD等AI芯片全面采用5/3nm EUV工艺，2nm GAA晶体管将增加EUV层数[4] - HBM生产中有选择地使用EUV，三星等厂商在逻辑层部署EUV而非存储阵列[4] 行业格局 - 当前仅台积电、三星、英特尔、SK海力士、美光具备EUV量产能力[6] - 日本Rapidus联合丰田等8家企业，计划2027年在北海道晶圆厂实现EUV量产[6] - ASML高NA EUV系统EXE:5000将支持1.8nm以下工艺[9] 创新方向 光源效率 - 劳伦斯利弗莫尔实验室开发DPSSL激光器，效率比CO2激光器高5-10倍[21] - 冲绳研究所优化反射镜涂层，目标减少30%光学损耗[22] 商业模式 - 共享EUV基础设施（如CHIPS法案项目）可降低中小厂商进入门槛[25] - 专业化分工模式（如专注I/O芯片）可能成为二线厂商采用EUV的路径[25]