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移动设备,也将迎来HBM?
半导体行业观察· 2025-02-27 09:50
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 宋首席执行官表示:"使用传统方法很难找到同时实现性能和功耗的终极解决方案。""我们将通过增 加输入/输出端子和应用垂直引线接合来引领移动 AI 取得有意义的进展。" 来源:内容 编译自sedaily ,谢谢。 据报道,三星电子将于 2028 年推出其下一代移动内存——用于优化设备上的 AI 的新型低功耗宽 I/O (LPW) DRAM。 LPW DRAM 专门针对高性能和低功耗,作为"移动高带宽存储器(HBM)"而备受关注。三星电子 计划利用用于设备人工智能(AI)的下一代 LPW DRAM 巩固其作为第一大移动内存市场领导者的 地位。 三星电子DS部门CTO、半导体研究所所长宋在赫17日(当地时间)在美国旧金山举办的2025国际半导 体会议(ISSCC)上发表主题演讲时宣布,"首款采用针对设备上AI优化的LPW DRAM的移动产品将于 2028年发布"。这是三星电子首次披露LPW/LLW DRAM的具体上市日期。 LPW 被称为 LLW 或"自定义内存"。由于它作为下一代存储器正在兴起并且相关标准正在制定,因 此业界使用了各种名称。然而,无论名称如何,目标都是一样的 ...