文章核心观点 - 存储巨头三星和SK海力士正将HBM技术从数据中心拓展至智能汽车和移动设备领域，推动行业技术革新 [1][3][6] - 移动HBM（LPW DRAM）通过3D堆叠和先进封装技术实现高性能与低功耗，将成为端侧AI设备的核心内存解决方案 [9][15][25] - 汽车HBM市场增长迅猛，预计从2023年47.6亿美元增至2028年102.5亿美元，SK海力士已率先推出车规级HBM2E芯片 [3][5] - 三星计划2028年推出带宽200GB/s、功耗1.9pJ/bit的LPW DRAM，性能较LPDDR5x提升166% [15][16] - SK海力士开发VFO技术实现27%厚度缩减和4.9%能效提升，与三星形成差异化竞争 [18][19][20] HBM在智能汽车领域的应用 - 智能汽车"新四化"趋势催生对高带宽内存的需求，ADAS、智能座舱等系统需实时处理高分辨率数据 [2] - SK海力士HBM2E已应用于Waymo自动驾驶汽车，容量8GB、带宽410GB/s，符合AEC-Q车规标准 [3] - 汽车HBM市场规模预计2028年达102.5亿美元，增速可能超越数据中心 [5] - 特斯拉等车企正积极寻求与HBM厂商合作，行业竞争加速技术落地 [4][5] 移动HBM技术发展 - 移动HBM采用阶梯状堆叠LPDDR DRAM，通过垂直引线键合实现高I/O密度，带宽提升8倍 [9][14] - 三星VCS技术使I/O密度和带宽分别提升8倍和2.6倍，生产效率提高9倍 [14] - LPW DRAM带宽达200GB/s，较LPDDR5x提升166%，功耗降低54%至1.9pJ/bit [15][16] - SK海力士VFO技术缩短信号路径至1/4以下，能效提高4.9%，封装厚度减少27% [18][19] 市场竞争格局 - 三星侧重高带宽设计（LP Wide I/O），SK海力士聚焦低功耗与轻薄化（VFO） [20] - 移动HBM可能采用定制化生产模式，类似SK海力士为苹果Vision Pro供应专用DRAM [21] - 预计2027年超50%的AI手机将集成HBM，平板和笔记本市场快速跟进 [20] - 两家公司技术路线差异将影响移动AI市场格局，量产能力与客户生态成竞争关键 [20][26] 技术差异与趋势 - 传统HBM采用TSV技术，移动HBM通过垂直引线键合实现中带宽低功耗 [25] - 移动HBM推动端侧AI设备升级，传统HBM向16层HBM4演进 [25] - 成本与良率仍是短期挑战，但技术创新将重塑智能手机、AR/VR设备性能边界 [26]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 宋首席执行官表示："使用传统方法很难找到同时实现性能和功耗的终极解决方案。""我们将通过增 加输入/输出端子和应用垂直引线接合来引领移动 AI 取得有意义的进展。" 来源：内容 编译自sedaily ，谢谢。 据报道，三星电子将于 2028 年推出其下一代移动内存——用于优化设备上的 AI 的新型低功耗宽 I/O (LPW) DRAM。 LPW DRAM 专门针对高性能和低功耗，作为"移动高带宽存储器（HBM）"而备受关注。三星电子 计划利用用于设备人工智能（AI）的下一代 LPW DRAM 巩固其作为第一大移动内存市场领导者的 地位。 三星电子DS部门CTO、半导体研究所所长宋在赫17日(当地时间)在美国旧金山举办的2025国际半导 体会议(ISSCC)上发表主题演讲时宣布，"首款采用针对设备上AI优化的LPW DRAM的移动产品将于 2028年发布"。这是三星电子首次披露LPW/LLW DRAM的具体上市日期。 LPW 被称为 LLW 或"自定义内存"。由于它作为下一代存储器正在兴起并且相关标准正在制定，因 此业界使用了各种名称。然而，无论名称如何，目标都是一样的 ...