行业动态报告 · 通信行业 光芯片价值量加速跃迁，供给刚性缺口有望持续 眽眻眽睁 年 着 月 眿 日 核心观点 InP 调制器触及 眽眻眻G 单波物理极限,薄膜铌酸锂以功耗 眼/眼眻 接棒高速方 案：AI 算力集群朝着 眼.睁T 甚至 眾.眽T 不断演进的时期，物理定律开始呈现出 失效状况。当单波达到 眽眻眻G 以上时，InP 的"非线性效应"与"功耗墙"已 然成为瓶颈。因此，需要找到一种在电光效率、可制造性和系统级可扩展性之 间的一种折衷方案。薄膜铌酸锂 TFLN 作为更优解，其优势在于可运用传统材 料十分之一的电压就可驱动超高带宽。在同等带宽下，TFLN 的功耗仅为传统 方案的 眼/眼眻。在光模块单通道速率超出 眽眻眻G 的应用方面，TFLN 或将成为优 先选择的方案。 投资建议： AI 资本开支高增带来 睃眻眻G→眼.睁T→眾.眽T 的速率跃迁，使光芯片 在光模块价值量占比显著提升，EML/CW/硅光芯片供给持续偏紧，上游光芯 片厂商议价权抬升；硅光+CW 光源、CPO/NPO 等技术演进打开中长期空间。 我们认为，重点标的应沿产业链自上而下配置，建议关注： 国内光芯片相关标 的：源杰科技、仕佳光子、长 ...