文 ｜ 徐涛 雷俊成 王子源 程子盈 1月1 5日晚间，BIS修订了《出口管理条例》（EAR），修改DRAM先进存储定义，工艺节点仍为 1 8 nm，存储单元面积及存储密度由2 4年1 2月的1 y nm变为1 x nm，同时增加TSV通孔数限制，对 HBM和先进DRAM的限制再加码，倒逼产业链国产化加速。本次限制针对制造厂商及供应链，设 计厂商业务正常开展，我们看好高端定制存储业务，持续推荐。同时我们认为，后续在本土高端封 测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM原厂有望突破HBM，布局相关环节的厂商有望核心受 益，看好高端存储产业链国产替代。 ▍ 美国对华先进存储限制再次升级，本次DRAM修改先进存储定义，工艺节点仍为1 8nm，存储 单元面积及存储密度由2 4年1 2月的1 ynm变为1 xnm，同时增加TSV通孔数限制。 其中：1 8 纳米半间距对应的存储单元面积从2 4年1 2月的0 . 0 0 1 9 µm2 变为0 . 0 0 2 6µm2，存储密 度是从1 2月的0 . 2 8 8Gb it/mm2变为0 . 2Gb /mm2（据s emi c o n d u c t o r- d i g e ...