替代HBM,微软探索新方案
半导体行业观察·2025-01-24 09:10
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 于 是 , 我 们 ( 微 软 研 究 院 团 队 ) 提 出 了 一 种 新 的 内 存 类 : 托 管 保 留 内 存 (MRM : Managed-Retenti Memory),它更适合存储 AI 推理工作负载的关键数据结构。我们相信,MRM 最终可能会为最初提议 持存储类内存 (SCM:Storage Class Memory ) 的技术提供一条可行的途径。这些技术传统上提供长 持久性(10 年以上),但提供较差的 IO 性能和/或耐用性。MRM 做出了不同的权衡,通过了解工作 载 IO 模式,MRM 放弃了长期数据保留和写入性能,以在这些工作负载的重要指标上获得更好的潜在 能。 介 绍 迄今为止,存储领域一直呈现二元化:存在非易失性和易失性存储技术。不同形式的 DRAM (GDDR、HBM、LPDDR)是主要的易失性存储器存储技术。一旦切断电源,其存储的数据就会丢 失。面向块的 NAND 和 NOR 字节寻址闪存是非易失性存储器最广泛使用的例子。它们不需要持续供 电来保存数据。在存储单元级别,数据易失性表示为保留时间,即可靠存储数据而无需刷新的时间。闪 存 ...