如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在本文中，台积电的专家回顾了晶体管创新的历史，一直延伸到当下，并展望了 CMOS 逻辑技 术在系统级集成、性能和能效方面实现长期可持续增长的未来需求，重点关注超越硅 MOSFET 和热管理方面的研究挑战。 半导体时代（1950 年至今）的开端对工业和社会产生了深远的影响，其源头可追溯至 1947 年巴 丁、肖克利和布拉顿发明的点接触晶体管，随后 1949 年贝尔实验室的科学家和工程师实现了肖克利 的双极结型晶体管。各公司早期对双极晶体管的产品化应用，使其被部署在诸如晶体管收音机和助 听器等商业设备上。首先掌握高纯度大单晶生产技术的是锗，这使其成为首批商业设备的首选材 料。 1954 年初，硅晶体生长技术取得突破，不久之后德州仪器公司就将首批硅晶体管推向市场。硅取代 锗成为首选材料，主要是因为其带隙更大、本征电阻率更低，支持的结具有更低的漏电流、更高的 击穿电压和更宽的工作温度范围；此外，二氧化硅从根本上比氧化锗更稳定，也是更好的绝缘体。 集成电路（IC）时代始于 1959 年左右，当时杰克·基尔比（Jack Kilby）发明了锗混合集成电路， 罗伯特·诺伊斯（Robe ...