SK Hynix Drops 5% After Approving $38B in New Memory Fabs; Seagate Falls 7%, Micron Barely Dips
247Wallst·2026-08-08 00:31

核心观点 - SK海力士批准380亿美元建设新内存工厂后股价下跌5%,希捷科技下跌7%,美光科技仅微跌2%,整体板块呈现非均匀获利回吐而非基本面恶化[1][3][4] 公司动态 SK海力士 - 公司董事会批准约380亿美元(54万亿韩元)在韩国建设两座新内存工厂,其中DRAM工厂(龙仁Y2)约35.2万亿韩元,NAND闪存工厂(清州M17)约19.1万亿韩元,约三分之二支出用于DRAM以匹配AI驱动内存需求[5] - 管理层将龙仁集群整体时间表提前,计划在2033年前完成全部四座龙仁工厂,而非原定的2045年[6] - CEO公开警告2027年可能带来行业有史以来最严重的内存短缺,将需求定性为结构性转变而非周期性反弹[6] - 公司于7月10日在纳斯达克上市,首尔上市股票在美国交易时段前收盘下跌5%[7] - 2026年第二季度营业利润创纪录,同比增长557%,但营收仍低于分析师预期[7] - 公司决定将下一次股东回报更新推迟至第三季度[3] 希捷科技 - 股价下跌7%至797.09美元,无明显公司特定催化剂[4][8] - 截至周五前股价年内已上涨210%,今日7%回调看起来是垂直上涨后的获利回吐[8] - 7月下旬财报显示营收和非GAAP每股收益超预期,2027财年第一季度营收指引为41亿美元±1亿美元[9] 美光科技 - 股价仅下跌2%至866.80美元,与板块消息流形成显著背离[4][10] - 多年战略客户协议和HBM4主导地位似乎使美光免受SK海力士资本支出焦虑的影响[10] 闪迪 - 股价下跌3%至1225.15美元[4] - 8月5日公布的2026财年第四季度业绩强劲,营收同比增长371.6%[11] - 股价年内仍上涨419%,盈利驱动暴涨后小幅回调不足为奇[11] 行业与ETF - Roundhill内存ETF(DRAM)下跌2%至50.37美元,作为内存和存储板块非均匀回调的晴雨表[4] - DRAM ETF持仓高度集中:三星电子24.99%,SK海力士24.22%,美光科技23.83%[12] 投资逻辑 看多逻辑 - SK海力士管理层认为内存将在2027年进入结构性短缺,AI加速器对HBM需求赋予公司持久定价权[13] - 若SK海力士第三季度股东回报更新将巨额资本支出与有意义的回购或股息结合,市场可能忽略近期稀释风险[13] 看空逻辑 - 380亿美元新工厂投资落地时内存股接近历史高位,可能引发2027年及以后的供应过剩担忧[14]

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