文章核心观点 - Atomera与IQE签署联合开发协议，共同将高性能、高性价比的RF GaN-on-Silicon推向量产市场 [1] - 双方将共同优化MST-enabled GaN-on-Silicon晶圆，由IQE为代工厂和IDM客户制造 [1] - 合作利用Atomera近期宣布的将Mears Silicon Technology™（MST）应用于RF GaN硅衬底的技术，结合IQE在化合物半导体外延领域的专业能力 [1] - 初期聚焦RF GaN-on-silicon应用，目标是展示面向高量产RF市场的最佳线性度和损耗表现 [1] 合作背景与双方定位 - IQE是全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商 [1] - Atomera是一家半导体晶体管材料和技术授权公司 [1] - IQE首席战略与技术官表示，IQE的业务建立在提供满足行业最高性能标准的化合物半导体外延之上，与Atomera的合作是该项工作的自然延伸 [2] - IQE认为MST for GaN-on-silicon技术有潜力提供一种具有成本效益的衬底，能够达到市场所需的性能 [2] - Atomera总裁兼CEO表示，GaN已成为RF和功率应用的关键，但以主流市场可接受的成本将高性能GaN推向量产仍是一个现实挑战 [4] - 该合作使Atomera能够将MST的性能优势应用于该领域，并拥有具备深厚化合物半导体专业知识的合作伙伴 [4] - IQE不仅是MST的开发合作伙伴，更是加速MST GaN-on-silicon上市时间的催化剂，并可能成为MST-enabled晶圆的有影响力制造商 [4] 开发计划与工作内容 - 双方预计将经历多轮开发流程，两家公司的工程团队将共同优化多层结构以识别性能最高的RF材料 [2] - 联合开发协议还为双方预留了扩展空间，既可进一步优化RF GaN，也可探索其他GaN用例，包括功率电子 [2] - 项目将集中于MST-enabled GaN-on-silicon晶圆的生产和测试 [3] - 目标是快速开发可实现的最佳MST-enabled GaN-on-silicon材料，并提供样品用于代工厂、IDM和无晶圆厂客户接洽 [3] 技术背景 - MST是一种量子工程外延硅材料，可增强晶体管性能，在显著提升半导体器件性能的同时缩小裸片尺寸并降低成本 [5] - 当应用于GaN外延，MST可在硅衬底上实现改进的RF GaN性能 [5] - Atomera的专利材料技术旨在实现更高效、更可控的电流流动，支持广泛应用中器件性能和功率效率的提升 [5] - MST可使用半导体制造设施中已部署的设备实现，并与半导体行业路线图中的其他纳米缩放技术互补 [6][7] 公司信息 - Atomera Incorporated（NASDAQ: ATOM）是一家半导体晶体管材料和技术授权公司，专注于将其专有性能增强技术部署到半导体行业 [6] - Atomera已开发Mears Silicon Technology™（MST），一种量子工程薄膜技术，可提高半导体晶体管的性能和功率效率 [6]