文章核心观点 - 三菱电机株式会社宣布在全球范围内首次阐明了氮化镓晶体管中由晶体缺陷引起的频率色散效应 [1] - 该氮化镓晶体管是在氮化镓衬底上沉积氮化镓外延层制成的高频晶体管 [1] - 公司同时验证了频率色散可被显著抑制 [1] - 该成果使得能够稳定实现氮化镓晶体管固有的高性能 [1] 技术成果总结 - 研究对象为在氮化镓衬底上沉积氮化镓外延层制造的高频氮化镓晶体管 [1] - 首次在全球范围内阐明晶体缺陷所致频率色散的影响 [1] - 验证频率色散可被显著抑制 [1] - 成果有助于稳定发挥氮化镓晶体管本征的高性能 [1]