文章核心观点 公司推出材料工程创新技术，使铜布线扩展到2nm及以下逻辑节点，提高计算机系统每瓦性能，解决芯片布线和堆叠的物理挑战 [1][2] 各部分总结 行业面临的挑战 - 随着行业向2nm及以下节点发展，更薄的介电材料使芯片机械强度变弱，铜导线变窄导致电阻急剧增加，降低芯片性能并增加功耗 [3] 公司创新技术 - 推出增强版Black Diamond材料，降低最小k值，使芯片扩展到2nm及以下，同时提高机械强度，被所有领先逻辑和DRAM芯片制造商采用 [4] - 推出最新IMS™，结合六种不同技术，采用钌和钴的二元金属组合（RuCo），使衬层厚度减少33%至2nm，降低电气线路电阻达25%，被所有领先逻辑芯片制造商采用并已向3nm节点客户发货 [6] 客户评价 - 三星电子采用公司多项材料工程创新技术，以克服互连布线电阻、电容和可靠性等挑战 [7] - 台积电认为降低互连电阻的新材料将在半导体行业发挥重要作用，有助于提高整体系统性能和功率 [7] 市场机会 - 从7nm节点到3nm节点，互连布线步骤约增加两倍，公司在布线领域的潜在市场机会每月每10万片晶圆新增超10亿美元，达到约60亿美元，引入背面电源传输预计将使机会再增加10亿美元，达到约70亿美元 [8] 其他信息 - 公司新的芯片布线产品及其他材料工程创新将在SEMICON West 2024技术早餐会上讨论，相关资料将于7月9日上午9点（东部时间）/6点（太平洋时间）在公司网站公布 [9] - 公司是材料工程解决方案领导者，能在原子层面和工业规模上改性材料 [11]