在三星电子正在量产的3nm和今年计划量产的2nm领域，三星技术落后于台积电。特别是在2纳米方 面，台积电的良率已超过60%，与三星电子的差距不小，因此提前启动了1nm工艺开发。 国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月10日消息，据报道，三星电子开始研发1nm晶圆代工工艺。由于在即将量产的2nm工艺等技术上与 台积电存在现实差距，三星电子计划加快1nm级工艺的开发，以创造反转机会。 据报道，三星电子半导体研究所最近启动了1nm工艺的开发。部分参与2nm等最尖端工艺开发的研究员 被选拔出来，组成了项目团队。在三星电子目前公开的晶圆代工工艺路线图中，2027年计划量产的 1.4nm工艺是最尖端的。 1nm工艺需要打破现有设计框架的新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻机 等下一代设备。消息称，三星方面将量产时间定在2029年之后。 第一步：扫描下方二维码，关注国芯网微信公众号。 第二步：在公众号里面回复"加群"，按照提示操作即可。 爆料｜投稿｜合作｜社群 文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通 投稿 或 商务 ...