文章核心观点 - Navitas Semiconductor获得美国陆军ALATTIS项目，开发下一代10 kV碳化硅功率半导体技术 [1][2] - 该奖项认可公司在超高压SiC技术领域的领导地位及美国本土制造供应链的韧性 [1][2] - 项目旨在开发、执行并验证一种新型的、目前尚不具备的美国本土10 kV SiC IGBT制造工艺 [3][4] 项目背景与赞助方 - 项目由陆军研究实验室（ARL）赞助，ARL隶属于美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM） [4] - ALATTIS全称为加速、大面积、10 kV SiC IGBT项目 [1] - 项目得到联合实验与技术加速器（JETX）支持，旨在推进关键国防和基础设施应用的高功率电子技术 [4] - 项目将加速开发用于武装部队任务关键系统的下一代10 kV SiC绝缘栅双极晶体管及相关PiN二极管技术 [4] - 经过严格的竞争性评估，美国陆军从领先的美国碳化硅技术公司中选择了Navitas [2] 公司技术与产品组合 - GeneSiC™ SiC功率半导体产品组合以旗舰沟槽辅助平面（TAP）MOSFET架构为核心，电压额定范围从650 V到6.5 kV [5] - 该产品组合由美国本土供应链提供工程、制造和支持，实现先进功率半导体技术的安全国内生产 [5] - 公司在超高压SiC领域开创了多项行业第一，包括2010年推出6.5 kV SiC晶闸管并获得2010 R&D 100 Award [8] - 2012年推出10–15 kV PiN二极管 [8] - 2021年商业发布6.5 kV SiC MOSFET [8] - 公司拥有超过300项已授权或待授权专利，是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司 [6] 高管评论 - Navitas高级副总裁兼首席技术官Siddarth Sundaresan表示，ALATTIS奖项是推进超高压SiC功率器件的重要里程碑，认可了公司超过20年的创新 [5] - 该计划使公司能够通过开发基于其独特专利TAP架构并与先进PiN二极管技术集成的下一代10 kV SiC IGBT，将领导地位扩展到SiC MOSFET之外 [5] 公司概况 - Navitas Semiconductor（Nasdaq: NVTS）是下一代功率半导体领导者，专注于氮化镓（GaN）和IC集成器件以及高压碳化硅（SiC）技术 [6] - 公司驱动AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化领域的创新 [6] - 公司在宽禁带技术领域拥有超过30年的综合专业知识 [6] - GaNFast™功率IC集成GaN功率、驱动、控制、传感和保护功能，提供更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率 [6] - GeneSiC™高压SiC器件利用专利的沟槽辅助平面技术，为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性 [6]