Fully integrated & protected GaN ICs with bi-directional loss-less current sensing delivers 4% higher efficiency, 15% lower system cost & 40% smaller footprint Navitas GaNSense™ Motor Drive ICs Deliver Industry-Leading Performance, Efficiency, & Robustness in Home Appliances & Industrial Applications Fully integrated & protected GaN ICs with bi-directional loss-less current sensing delivers 4% higher efficiency, 15% lower system cost & 40% smaller footprint. TORRANCE, Calif., May 01, 2025 (GLOBE NEWSWIRE ...

Richard Hendrix Appointed Chair of the Board Executive Steering Committee Formed to Advance Growth Strategy TORRANCE, Calif., April 24, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (NASDAQ:NVTS), the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, today announced actions by its board of directors to advance the company's growth strategy. These corporate governance enhancements reflect the board's ongoi ...

文章核心观点 公司宣布将于2025年5月5日周一收盘后公布2025年第一季度财务结果，当晚管理层将主持电话会议和网络直播展示财务结果并回答分析师问题 [1][7] 财务结果公布及会议信息 - 财务结果公布时间为2025年5月5日周一收盘后 [1][7] - 电话会议和网络直播时间为当天太平洋时间下午2点/东部时间下午5点 [1][2][7] - 免费拨入号码为(888) 596 - 4144或(646) 968 - 2525，会议ID为2033529 [2] - 网络直播链接为https://edge.media-server.com/mmc/p/tz4rhgz4 [2] - 电话会议回放可在公司网站投资者关系板块https://ir.navitassemi.com/获取 [2] 公司简介 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，已实现10年功率创新 [3] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动及控制、传感和保护功能，可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 [3] - GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [3] - 重点市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 [3] - 公司拥有300多项已发布或待发布专利，有行业首个也是唯一的20年GaNFast质保 [3] - 公司是全球第一家获得碳中和认证的半导体公司 [3] 联系方式 - 产品管理与营销高级总监Llew Vaughan - Edmunds邮箱为info@navitassemi.com [5] - 投资者关系Lori Barker邮箱为ir@navitassemi.com [5] - 公告配图链接为https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/6560f6de - 47bf - 4274 - b915 - d53e99297acc [5]

文章核心观点 公司发布采用环氧树脂灌封技术的最新SiCPAK™功率模块，适用于多个高功率领域，具有高可靠性和高温性能优势 [1] 产品技术特点 - 先进低成本环氧树脂灌封技术使热阻变化降低5倍，延长系统寿命 [1][13] - 采用专有的沟槽辅助平面SiC MOSFET技术，设计和验证适用于高功率环境 [1] - 20多年碳化硅创新领导经验，GeneSiC™技术提供行业领先的温度性能，降低损耗、运行更凉爽、增强鲁棒性 [4] - “沟槽辅助平面”技术使RDS(ON)随温度增加极低，在高温下电路运行时RDS(ON)比竞品低达20% [5] 产品性能优势 - 新的1200V SiCPAK™功率模块能防止湿气侵入，承受高湿度环境，减少功率和温度变化导致的性能下降，实现稳定热性能 [2] - 经1000次热冲击测试（-40°C至+125°C），热阻增加比传统硅胶填充模块低5倍，硅胶填充模块隔离测试失败，而SiCPAK™模块保持可接受隔离水平 [3] - GeneSiC™ SiC MOSFET雪崩能力100%测试，短路耐受能量高30%，阈值电压分布窄，便于并联 [5] 产品规格与兼容性 - 1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，有4.6 mΩ至18.5 mΩ额定值，提供半桥、全桥和3L - T - NPC电路配置 [6] - 引脚与行业标准压接模块兼容，可选预涂热界面材料简化组装 [6] 产品供应信息 - 模块已发布并可立即量产，数据手册可在指定网址查看 [7] 公司简介 - 公司是唯一纯业务的下一代功率半导体公司，2014年成立，有10年功率创新历史 [8] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动等功能，实现快速充电、高功率密度和节能；GeneSiC™功率器件是优化的碳化硅解决方案 [8] - 专注市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能等多个领域，拥有300多项专利，有20年GaNFast保修，是全球首个获得碳中和认证的半导体公司 [8]

文章核心观点 公司发布采用环氧树脂灌封技术的最新SiCPAK™功率模块，适用于多种高功率环境，具有高可靠性和高温性能优势 [1] 产品特点 - 采用先进环氧树脂灌封技术，能防止湿气侵入，减少功率和温度变化导致的性能下降，可耐受高湿度环境并实现稳定热性能 [2] - 经过1000次热冲击测试（-40°C至+125°C），热阻增加比传统硅胶填充盒式模块低5倍，且在隔离测试中能保持可接受的隔离水平 [3] - 基于超20年碳化硅创新领导地位的GeneSiC™“沟槽辅助平面碳化硅MOSFET技术”，可实现行业领先的温度性能，降低20%的损耗，运行更凉爽，具备出色的耐用性 [4] - “沟槽辅助平面”技术使RDS(ON)随温度升高的增幅极低，在更宽的工作范围内实现最低功率损耗，在高温电路运行时比竞争对手的RDS(ON)低20% [5] - 所有GeneSiC™碳化硅MOSFET具有最高公布的100%测试雪崩能力，短路耐受能量提高30%，阈值电压分布紧密，便于并联 [5] 产品规格 - 1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，有4.6mΩ至18.5mΩ的额定值，提供半桥、全桥和3L - T - NPC电路配置 [6] - 与行业标准压接式模块引脚兼容，还可选预涂热界面材料以简化组装 [6] 产品供应 - 模块已发布并可立即投入大规模生产，数据手册可在指定网址查看 [7] 公司介绍 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，拥有10年功率创新历史 [8] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动以及控制、传感和保护功能，可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 [8] - 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [8] - 专注市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 [8] - 拥有超300项已授权或待授权专利，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast质保，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8]

文章核心观点 - 纳微半导体宣布其高功率GaNSafe™ ICs获得汽车资格认证，展示了氮化镓在汽车市场的新突破，同时其相关产品在效率、功率密度等方面有优势，推动氮化镓成为电动汽车电源系统的首选技术 [3][1][9] 公司产品情况 - 高功率GaNSafe 4代系列集成控制、驱动、传感和关键保护功能，具备短路保护、ESD保护等特性，通过4引脚控制，无需VCC引脚 [4] - 2025年3月推出世界首个量产的650V双向GaNFast ICs与IsoFast驱动器，可使下一代单级车载充电器实现高效双向充电 [7] 产品认证情况 - 公司高功率GaNSafe™ ICs获得AEC - Q100和AEC - Q101汽车资格认证，确保分立功率FET级和组合IC解决方案符合严格规格 [3][5] - 为支持认证，公司创建综合可靠性报告，分析超7年生产和现场数据，展示产品可靠性和耐用性提升 [6] 产品应用效果 - 领先的电动汽车和太阳能微型逆变器制造商已开始采用单级BDS转换器，可实现高达10%的成本节省、20%的能源节省和高达50%的尺寸减小 [8] 公司发展成果 - 公司已发货超2.5亿个单位，现场设备运行超2万亿小时，累计现场故障率接近十亿分之一百 [9][13] 公司简介 - 纳微半导体是唯一纯专注于下一代功率半导体的公司，2014年成立，拥有GaNFast™功率IC和GeneSiC™功率器件，聚焦多个市场，拥有超300项专利，提供20年GaNFast保修，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [10]

文章核心观点 Navitas Semiconductor与长城电源合作，其GaNSense功率IC将为长城电源用于AI数据中心的2.5kW超高功率密度DC - DC转换器供电，双方合作有望推动GaN技术在多领域应用及行业向高效环保方向发展 [1][6] 行业趋势 - AI快速发展对数据中心算力提出更高要求，400V独立机柜架构成新趋势，小尺寸、高效率、高独立性的模块电源可释放机柜空间、提升算力、降低能耗并助力实现双碳目标 [2] 产品情况 长城电源2.5kW DC - DC转换器 - 采用1/4砖外形，功率密度达92.36W/cm³，为行业领先，输出功率比传统硅设计高8倍，半载效率达97.9%，输入范围320 - 420VDC，符合OCP效率准则和法规，可用于AI数据中心、电信和工业设备等领域 [3] Navitas GaNSense NV6169 - 为上述转换器供电，650V、45mΩ，在8 x 8mm PQFN封装中比先前设计多提供50%功率，适用于高效高密度电源系统 [4] - 具备无损耗电流感应和世界最快短路保护等GaN行业首创特性，“检测到保护”速度仅30ns，比离散解决方案快6倍 [4] - 额定650V正常运行，峰值额定800V，GaN栅极全保护，整个器件静电放电（ESD）规格达2kV [5] 双方表态 - 长城电源DC产品线负责人表示很高兴与Navitas合作，期待深化合作以解锁GaN在更多领域应用，提高电源效率、降低能耗、加速各行业低碳转型 [6] - Navitas亚太区高级副总裁兼总经理称与长城电源合作深感荣幸，相信持续合作将使GaN技术在多领域发光，推动行业向高效环保方向发展 [6] 公司介绍 长城电源 - 1989年成立，专注开关电源研发、生产和销售，是中国首个计算机电源制造商，产品涵盖服务器、桌面电脑、通信、工业等多种电源 [7] - 有36年电源研发生产经验，是中国最大电源供应商之一和国家电源标准主要起草者 [8] - 在深圳、南京等地设有六个研发中心，超800名研发人员，持续投入研发创新，拥有坚实技术基础和强大研发能力，建立关键企业实验室和CNAS认可实验室，积累众多自主知识产权核心技术 [9] - 遵循“高端、国际、多元、智能”发展战略，积极拓展海外市场，目标成为全球电源产品供应商和电源领域世界领先技术供应商 [10] Navitas Semiconductor - 2014年成立，是唯一纯下一代功率半导体公司，有10年功率创新历史 [11] - GaNFast™功率IC集成氮化镓（GaN）功率、驱动、控制、传感和保护功能，实现快速充电、高功率密度和节能；GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性碳化硅（SiC）解决方案 [11] - 专注AI数据中心、电动汽车、太阳能等市场，拥有超300项已授权或待授权专利，提供行业首个也是唯一20年GaNFast保修，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [11]

文章核心观点 - 纳微半导体与兆易创新宣布建立战略合作伙伴关系，创建联合实验室，整合双方技术，加速氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在人工智能数据中心、电动汽车、太阳能和储能系统等领域的应用 [1] 合作信息 - 2025年4月8日，兆易创新高级副总裁、首席技术官兼微控制器业务部总经理Vincent Li和纳微半导体亚太区副总裁兼总经理Charles Zha等高管出席在上海举行的签约仪式，双方分享合作战略并讨论联合实验室运营模式 [8] - 双方合作旨在将纳微半导体的GaNFast™ IC与兆易创新的微控制器集成和定制，目标市场为人工智能数据中心、电动汽车、太阳能和节能系统 [1] 合作意义 - GaN和SiC功率技术向更快、更轻、更紧凑解决方案转变，需要优化微控制器以发挥其快速开关特性，双方共同开发的解决方案将加速GaN和SiC在高功率市场的应用 [2] - 联合研发实验室将整合双方技术产品和系统级应用专业知识，推动智能高效电源管理解决方案的创新发展，实现更高水平的集成、性能和高功率密度数字电源解决方案 [3] 双方优势 兆易创新 - 是中国高性能通用微控制器市场领导者，产品广泛应用于电力系统、工业自动化、汽车电子和运动控制等领域，累计出货量超20亿单位 [4] - GD32高性能微控制器系列采用领先技术和核心架构，具有更高处理能力、更大存储容量和更丰富片上资源，为开发者带来高端创新体验，并提供全面的行业垂直解决方案 [4] 纳微半导体 - 是GaN功率技术行业领导者，拥有广泛的GaNFast™功率IC产品组合，能实现高频高效功率转换，与传统硅功率器件相比，功率提高3倍，充电速度加快3倍，尺寸和重量减半 [5] - 在多个增长市场处于领先地位，为全球前10大智能手机/笔记本电脑原始设备制造商中的10家供应GaN IC，在人工智能数据中心解决方案方面有多项世界首创设计，长安汽车将推出首款使用其GaN IC的基于GaN的车载充电器 [6] 公司战略与愿景 - 纳微半导体通过创建生态系统支持下一代清洁能源解决方案，此次合作符合其战略，此前还开展了创建高速隔离驱动器、集成ASIC与GaNSense™ IC等工作 [7] - 兆易创新高级副总裁Vincent Li表示数字电源是核心战略市场，与纳微半导体合作将整合先进微控制器与领先GaNFast™技术，推动工业自动化和新能源汽车发展 [9] - 纳微半导体亚太区副总裁Charles Zha称联合实验室将放大双方在IC设计、制造和生态系统开发方面的互补优势，加速下一代高效电源解决方案研发，实现“智能+绿色”战略愿景 [9] 公司简介 兆易创新 - 是全球领先的微控制器和闪存无晶圆厂供应商，2005年4月成立，总部位于中国北京，在全球多地设有分支机构，拥有四大产品线，提供广泛解决方案和服务，获得多项认证并与领先厂商建立战略联盟 [10] 纳微半导体 - 是唯一专注于下一代功率半导体的公司，2014年成立，庆祝10年功率创新，GaNFast™功率IC集成多种功能，GeneSiC™功率器件为高功率、高压、高可靠性SiC解决方案，拥有超300项专利，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [11]

文章核心观点 - 纳微半导体与兆易创新宣布建立战略合作伙伴关系，共同创建联合实验室，整合双方技术，加速氮化镓和碳化硅在高功率市场的应用，推动智能高效电源管理解决方案的创新发展 [1][2][3] 合作信息 - 2025年4月8日，兆易创新高级副总裁、首席技术官兼微控制器业务部总经理Vincent Li和纳微半导体亚太区副总裁兼总经理Charles Zha等高管出席在上海举行的签约仪式，双方分享合作战略并讨论联合实验室运营模式 [8] - 双方合作旨在创建联合实验室，整合纳微半导体的GaNFast™ IC与兆易创新的微控制器，目标市场为人工智能数据中心、电动汽车、太阳能和节能系统 [1] 合作意义 - 氮化镓和碳化硅电源技术向更快、更轻、更紧凑解决方案转变，微控制器需优化以发挥其快速开关特性，双方合作开发的解决方案将加速氮化镓和碳化硅在高功率市场的应用 [2] - 联合研发实验室将整合双方技术产品和系统级应用专业知识，推动智能高效电源管理解决方案的创新进步，实现更高水平的集成、性能和高功率密度数字电源解决方案 [3] 公司优势 兆易创新 - 是全球领先的微控制器和闪存供应商，成立于2005年4月，总部位于中国北京，在全球多地设有分支机构，拥有四大产品线，可提供广泛解决方案和服务，并获得多项认证，还与领先的代工厂、封装和测试厂建立战略联盟 [11] - 作为中国高性能通用微控制器市场领导者，产品广泛应用于多个领域，累计出货量超20亿单位，GD32高性能微控制器系列采用领先技术和核心架构，为开发者带来高端创新体验，并提供行业特定垂直解决方案 [4] 纳微半导体 - 是唯一的纯下一代功率半导体公司，成立于2014年，拥有10年功率创新经验，专注于氮化镓和碳化硅技术，拥有超300项专利，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [12] - 拥有广泛的GaNFast™功率IC产品组合，能实现高频高效功率转换，与传统硅功率器件相比，功率提高3倍，充电速度加快3倍，尺寸和重量减半 [5] - 在多个增长市场处于领先地位，为全球前10大智能手机/笔记本电脑原始设备制造商中的10家供应氮化镓IC，在人工智能数据中心解决方案方面有多项世界首创设计，长安汽车将推出首款使用其氮化镓IC的商用氮化镓车载充电器 [6] 公司战略 - 纳微半导体的合作符合其创建生态系统以支持下一代清洁能源解决方案的战略，通过创建新的高速隔离驱动器、集成专用集成电路与GaNSense™ IC以及与高频平面磁学合作，提供一站式解决方案，加速基于氮化镓/碳化硅的电力电子创新 [7] 高管观点 - 兆易创新Vincent Li表示数字电源是核心战略市场，微控制器对数字电源系统至关重要，与纳微半导体合作将整合双方技术，为工业自动化和新能源汽车开发有竞争力的解决方案，推动行业绿色高效发展 [9] - 纳微半导体Charles Zha称公司不断创新GaNFast功率IC技术，与兆易创新的联合实验室将放大双方在IC设计、制造和生态系统开发方面的互补优势，加速下一代高效电源解决方案的研发，为全球客户带来更快、节能的创新产品 [10]

文章核心观点 公司与长城电源合作，其GaNSense功率IC用于长城电源的AI数据中心DC - DC转换器，虽年初至今股价下跌且面临盈利挑战，但数据中心业务增长强劲，有望在2025年末实现更好增长率，长期超越功率半导体行业 [1][3][9] 合作成果 - 公司的GaNSense功率IC用于长城电源最新2.5kW超高功率密度DC - DC转换器，用于AI数据中心 [1] - NV6169 GaN解决方案比之前版本为长城电源的DC - DC转换器提供多50%的功率，支持高效和高功率密度应用 [2] 股价表现 - 公司年初至今股价大幅下跌53.8%，表现逊于Zacks计算机与技术板块10.4%的跌幅和Zacks电子 - 半导体行业20.3%的跌幅 [3] 业绩挑战 - 2024年第四季度营收未达预期，受电动汽车、太阳能和工业市场需求疲软影响 [4] - 预计2025年第一季度毛利率降至38% ± 50个基点，凸显营收压力和关键增长领域市场疲软下的盈利挑战 [4] 合作意义 - 与长城电源的合作标志着电源架构重大转变，400V - DC系统提高AI效率和可持续性，支持降低能耗和减少碳排放，加强公司在AI基础设施市场的地位 [5] 技术应用拓展 - GaNSense技术影响超出数据中心，电信和工业应用成为高影响力增长途径，能满足5G网络和下一代连接需求 [6] 数据中心业务增长 - 公司的GaN和SiC电源解决方案在各关键领域势头强劲，AI数据中心成为主要增长引擎 [7] - 数据中心管道价值达1.65亿美元，较2023年翻倍，2024年GaN和SiC AC - DC电源赢得40个客户，正拓展48V DC - DC转换器业务 [8] - 公司获得4.5亿美元客户设计订单，受数据中心和电动汽车市场需求推动，增强实现2025年末更好增长率的信心 [9] - 2024年数据中心业务营收增长和设计订单势头强劲，从亚洲领先ODM获得40个项目订单，与谷歌、亚马逊等顶级数据中心企业合作加深 [10] - 公司将GaN和SiC电源解决方案集成到谷歌、亚马逊等超大规模企业的下一代AI基础设施中，与戴尔和惠普的长期合作得到加强 [11] 评级情况 - 公司目前Zacks排名为2（买入） [12]