文章核心观点 - onsemi推出EliteSiC™ M4第四代碳化硅平台，基于沟槽架构，相较上一代实现功率密度提升最高30%、损耗降低35% [1][3] - 该平台通过提升导通与开关性能，为AI数据中心、电动汽车及能源基础设施提供更高效、更高功率密度的系统方案 [1][9] - EliteSiC M4旨在应对AI、电气化及能源基础设施发展带来的共同挑战：在系统尺寸、能量损耗和冷却需求不成比例增加的前提下大幅提升功率输出 [5] - 该平台延续了onsemi在碳化硅领域的技术领先地位，基于超过160亿英里的车规级实际运行验证 [4][11] 产品技术改进 - 比导通电阻（RSP）降低20%至50%，同时支持更快的开关速度 [13] - 开关品质因数在硬开关条件下提升67%，在软开关条件下提升50%，支持紧凑型电源设计 [13] - 封装灵活性高，可适配现有封装形式，包括顶部散热表面贴装封装和高功率模块 [13] - 平台针对严苛工作环境设计，认证支持185°C及以上温度，适用于高压汽车及航天应用 [13] 各终端市场系统级收益 - AI数据中心：更高密度的功率转换帮助数据中心从每兆瓦电力中获取更多算力，最大化容量同时减少单位算力所需配套基础设施 [12] - 电动汽车：更紧凑高效的牵引逆变器帮助车企提升续航里程，舍弗勒集团高管表示更高效率和功率密度为牵引逆变器在续航、热性能和封装方面的优化提供更大灵活性 [6][12] - 能源基础设施：更高效、更高密度的功率转换帮助太阳能、储能及其他高压系统降低转换损耗 [12] 产品供货情况 - EliteSiC M4 750V车规级牵引逆变器裸片现已供货 [11][14] - 最高至1200V的额外电压选项产品预计自2027年开始供货 [11][14] 行业背景 - 功率需求增长速度超过物理基础设施的承载能力，下一代功率系统需要在更小空间内以更高效率输送更多功率 [4] - AI、电气化及能源基础设施的发展为功率系统设计者带来共同挑战，即在不大幅增加尺寸、能量损耗和冷却需求的前提下显著提升功率 [5]