行业投资评级 - 半导体行业评级为“推荐” [2] 报告的核心观点 - 美国BIS新规对半导体制造设备、HBM、AI等领域实施全面制裁，进一步扩大实体清单，实现对华科技战全面围堵 [2] - 国产设备商上清单，美系垄断且国产化率低的零部件环节最为受益 [4] - 本土主要晶圆厂受限，国产设备加速导入 [5] - HBM全面制裁落地，看好HBM及先进封装设备公司 [6][8] 根据相关目录分别进行总结 实体清单 - 本次共新增140家中国企业，半导体设备公司首次集体进入实体清单，包括北方华创、拓荆科技、中科飞测、精测电子、芯源微、新凯莱、凯世通等，基本涵盖各环节大多数本土设备商；晶圆厂重点是昇维旭、青岛芯恩、鹏新旭以及武汉新芯等，长鑫存储未进入名单，因此DRAM扩产不受影响；EDA软件包括华大九天、国微；材料包括南大光电、沪硅等 [2] HBM芯片 - 重大变化是DRAM以存储单元面积<0.0019μm²或存储密度>0.288Gb/mm²界定先进制程，所有HBM纳入管控，力度超市场预期，且韩国三星、海力士并未获得豁免，国产HBM需求进一步增加；制造方面，包括TSV刻蚀设备、后道堆叠、减薄等，重点突出围绕先进封装设备 [3] 先进制造设备和软件 - 进一步细化和限制出口先进制程设备种类，中国大陆获取美国先进制程设备难度升级。包含光刻、刻蚀、离子注入、量测、单晶圆清洗等，具体看：管制叠层精度小于1.5纳米压印光刻设备、加强对低能量、高精度以及3D掺杂应用离子注入设备管控；刻蚀设备重点管制30:1深宽比的介电材料的设备，同时硅通孔（TSV）受到限制，清洗设备管控涉及超级临界二氧化碳清洗和升华干燥清洗设备 [3] 国产设备商上清单 - 实体清单主体将难以获得EAR许可，美国受控的硬件/软件/技术服务出口将受到严格审查，极大限制前述厂商获取美系零部件及材料。因此美系垄断且国产化率的零部件环节最为受益，相关零部件市场空间广阔：1）射频电源：刻蚀&薄膜机核心零部件，根据中科英智统计，2022年美国MKS和AE合计市占率87%，当前国产化率不足10%，25年国内市场规模预计约70亿元；2）泵阀：气体系统和真空系统主要零部件，根据QYResearch数据，美国派克市占率排名第二约1%。美系企业尤其在气体阀门具有较强优势，根据我们测算，25年国内市场规模400亿元。3）真空泵：几乎所有主设备都需要配备多台，且前中后道环节均有真空需求，根据华经产业院数据，2019年Edwards市占率约50%，根据华经数据我们预计当前国产化率不足10%，25年市场规模120亿元（Edwards为瑞典Atlas子公司，但与美政府合作紧密，美商务部计划提供1800万资助建厂） [4] 本土主要晶圆厂受限 - 除三大核心措施外，本次新规还新增FDP注脚5规则和8项红旗警示（Red Flag），1）FDP注脚5规则：任何含美技术产品（无论含量高低）出口至中国企业都需要美国商务部审批，此次共有14家实体适用于注脚5，本土主要晶圆厂包括中芯国际（集团）、中芯南方、中芯北方、鹏芯旭、鹏芯旭、武汉新芯、福建晋华等均在内，同时中微公司、华虹半导体和华润微移出VEU清单。2）8项红旗警示（Red Flag）：主要针对产品最终去向和用途进行严格审查，具体包括限制成熟制裁Fab厂购买先进节点IC生产设备、下游客户和使用者不确定、出口商的许可证不确定应暂定交易、新客户管理层与实体清单存在重叠等。"注脚5+ Red Flags"全面围堵国内主要晶圆厂进口先进设备，通过"白手套"获取美系管制设备难度加大。全面围堵下，进一步驱动本土晶圆厂全面转向国产设备，设备国产化率有望大幅提升 [5] HBM全面制裁落地 - 梳理本次制裁新规，除逻辑、NAND先进节点界定不变外，对HMB有明显的限制，将管制内存带宽密度mm²/s。2GB的HBM，目前生产的所有HBM堆栈都超过了这一阈值，意味着对HMB进行全面管制，包括TSV刻蚀设备、后道堆叠、减薄等先进封装设备也受到管制。我们认为随着美对华HBM全面限制升级，势必会提升中国大陆后续相关扩产力度以满足AI等相关发展；在制造设备端，不少先进封装设备多以日韩欧企业为主，相对影响较小，且此类设备突破难度弱于先进逻辑前道设备，同时DRAM大厂长鑫存储未进入名单，对于大陆HBM相关扩产边际利好，看好HBM及先进封装设备公司 [6][8] 投资建议 - 美股制裁落地，利好美系设备及零部件垄断环节，①设备：重点推荐中科飞测、拓荆科技、精测电子、北方华创、中微公司、华海清科、万业企业、芯源微、京仪装备、长川科技，其他受益标的金海通、百傲化学等；②零部件：射频电源环节受益标的英杰电气；阀门等气体系统环节重点推荐新莱应材、正帆科技；真空泵环节受益标的汉钟精机；其他环节受益标的珂玛科技、富创精密、江丰电子、美埃科技等 [9]