行业格局 - [中国存储厂商挑战全球存储竞争格局，长鑫存储预计2028年超美光，2031年达每月80万片晶圆产能；长江存储预计2028年成全球第二大NAND厂商，新建晶圆厂设备国产化渗透率近60%][3] - [全球DRAM存储市场由三星、SK海力士和美光主导，合计占全球80%以上份额，长鑫存储约占6%；NAND市场较分散，三星领先，其余主要厂商各占约11%-14%][54] 市场供需 - [AI创造巨大存储需求，传统存储供应趋紧，长鑫存储和长江存储可缓解短缺并支持进口替代，但长期扩产或削弱现有厂商回报的供应纪律][4] - [预计2028年全球DRAM晶圆产能达3374千片/月，长鑫存储占15%；HBM占先进DRAM晶圆消耗比例将从2023年约6%升至2028年34%][17][23] - [纳入长鑫存储HBM爬坡计划后，DRAM市场2026年约短缺17%、2027年约短缺15%][27] 企业发展 - [长鑫存储从技术追随者转向规模化供应商，2026年产能达每月30万片，占全球DRAM晶圆产能13%和位元出货量11%，预计2031年达80万片][16] - [长鑫存储2026年二季度完成向100% Gen4B生产切换，良率超90%，规划推进HBM4量产][58] - [长江存储在NAND架构上取得突破，267层产品已量产，300层以上器件在研发，设备和材料国产化有进展][59][63] 行业影响 - [存储行业关键DRAM厂商数量增加，行业碎片化，影响包括绝对资本开支要求更高、长期标准化回报更低、估值分化更大][44] - [行业可持续利润率面临风险，DRAM跨周期营业利润率远期预计回归50%，NAND利润率降至15%-20%][49]