核心观点 - 摩根大通报告指出，2026年第二季度全球半导体行业盈利数据发出明确看涨信号，需求全面超预期，定价权从存储芯片向上游设备和材料扩散[2] 资本支出全面增加，先进产能扩张加速 - 台积电2026年资本支出计划上调约15%，从520亿至560亿美元增至600亿至640亿美元，中值较上年同期增长52%，其中70%至80%用于先进工艺技术[3] - 英特尔2026年全年资本支出从约180亿美元上调至200亿美元，同比增长11%，设备资本支出预计同比增长40%，2027年将进一步大幅增长[3] - SK海力士2026年资本支出总额达40万亿韩元（约合280亿美元），同比增长45%，提前启动M15X量产计划[3] - 三星晶圆代工厂Taylor Fab 1工厂将于2026年投产，逐步提升2纳米制程产能，Taylor Fab 2工厂计划今年破土动工，目标2030年量产[3] 设备市场预测大幅上调，价格上涨推高毛利率 - 东京电子预测2026年WFE市场不低于1500亿美元，2027年不低于1900亿美元[4] - Lam Research预测2026年WFE市场在1500亿美元低端，AI投资驱动的WFE需求从每1000亿美元80亿提升至90至100亿美元[4] - KLA预测2026年WFE市场在1500亿美元低端，计划通过新产品增值提价[4] - SCREEN Holdings预测2026年WFE市场至少1400亿美元，同比增长20%以上，主要针对存储芯片[4] - 东京电子预计2027财年初毛利率达50%，2026年4月至6月期间毛利率为47%[5] - Lam Research第二季度毛利率达52%，计划通过高附加值产品实现55%目标[5] - 应用材料公司过去三年毛利率增长约300个基点，半导体系统业务毛利率超过55%[5] - 摩根大通认为WFE市场规模预测持续上调及设备制造商毛利率改善，意味着半导体设备行业盈利弹性被系统性低估[5] 磷化铟衬底极度短缺，产能数倍扩张 - Lumentum和Coherent均表示市场需求强劲，Lumentum指出供需缺口超过30%[6] - JX Advanced Metals计划到2030年将InP衬底产能扩大7至10倍[6] - AXT目标到2026年底年产能同比增长3倍，季度销售额达6000万美元，2027年底前进一步扩大2倍以上，销售额超1.3亿美元[6] - Coherent向6英寸衬底过渡，与3英寸晶圆相比产量提高四倍，成本减半并保持高良率[6] 存储长期协议披露，预付款建立利润底价 - 三星电子已与五家数据中心客户最终签署五年滚动长期协议，另有五份协议在最终谈判阶段，预计收到大笔预付款[7] - SK海力士已签署十份五年期合同，附带预付款[7] - 闪迪已签署八份合同，其中三份与美国超大规模云服务商签订，平均期限四年，最长五年，可满足2027财年50%比特需求和2028财年约三分之二需求[7] - SanDisk管理透露，即使在浮动定价结构最低价格下，毛利率仍能达到约80%[7] 英特尔重返内存的轻资产路径 - 英特尔首席执行官陈立步聘请前SK海力士首席执行官李锡熙担任晶圆代工业务执行副总裁，负责先进封装、系统集成和后端制造[8] - 英特尔利用EMIB和Foveros封装技术与SK海力士进行HBM合作，提供集成逻辑芯片加内存芯片加先进封装成品[8] - 英特尔与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM对角堆叠内存技术，目标2030年量产，生产成本仅为HBM的60%，单芯片容量高达512GB[8] - 英特尔申请基于UCIe链路的后端集成内存解决方案的XBM专利[8] - 英特尔缺乏DRAM芯片制造能力，核心内存介质依赖外部采购，供应紧张时期比三星等IDM厂商议价能力更弱[9] - ZAM架构要到2030年才能全面量产，三星zHBM预计2028至2029年间上市，英特尔存在1至2年市场劣势[9] - 人工智能时代内存竞争从“谁能生产更多芯片”转变为“谁能在系统架构层面优化计算和内存集成”[9] - 三星走重资产定制路线，自主研发IDM芯片并采用zHBM垂直堆叠技术，英特尔走轻资产定制路线，架构定义加封装代工[9]