核心观点 - 韩国存储器企业三星电子和SK海力士计划明年在中国加大NAND闪存生产线的设施投资，以应对AI服务器等高端NAND闪存需求激增[1][2] 三星电子投资计划 - 三星电子已敲定今明两年在中国西安投资建设最先进的NAND闪存转换工厂计划[1] - 自今年上半年起，三星电子在西安X2生产线上进行V9 NAND闪存的改造投资，V9产品采用280个堆叠单元，预计每月产能可达4万至5万片晶圆[1] - 三星电子正在敲定追加投资计划以加强V9 NAND闪存产能，核心是引进额外的蚀刻工艺设备，蚀刻是NAND闪存制造的关键环节，需钻出很深的电子通道孔[1] - 三星电子决定从明年下半年开始追加投资以确保V9 NAND闪存稳定量产，相关设备采购订单预计今年年底落实[1] - 一位半导体行业人士表示，三星电子计划在今年和明年分阶段投资扩大中国尖端NAND闪存产能，以应对AI服务器等高科技NAND闪存需求激增[2] SK海力士投资计划 - SK海力士计划从今年下半年到明年，确保每月3万片晶圆的NAND闪存产能[1] - 自今年第三季度以来，SK海力士一直在对其大连二厂的NAND产品进行设施投资升级，目前讨论的投资规模约为每月3万片晶圆[2] - 大连工厂是SK海力士在2020年下半年收购英特尔NAND业务部门时获得的，2022年举行大连二厂奠基仪式，但因市场状况暂停投资[2] - 另一位业内人士表示，SK海力士计划在明年上半年之前在大连二厂投资建设月产能3万片晶圆的NAND闪存生产线，蚀刻设备等关键制造设备将从下个月开始正式引进[2]