核心观点 - 全球AI基础设施建设推动记忆体市场进入新一轮供需紧平衡周期，DRAM库存降至极低水平，2027年可能出现“可供销售库存耗尽” [4] - AI服务器核心成本正从单纯依赖GPU转向“GPU+HBM+DDR5+SSD”整体架构，记忆体价值占比大幅提升 [5] - HBM4对DRAM产能的“虹吸效应”导致传统DRAM供给紧张，DRAM与NAND首次形成同步景气周期 [6][7] 库存与供需状况 - 截至2026年第三季，三星电子与SK海力士的DRAM库存已降至不足10天，创近年来极低水平 [4] - 行业低谷时期库存通常维持40至60天，供需平衡阶段约为20至30天 [6] - 2027年DRAM与NAND的位元需求增速都将超过供给增速10个百分点以上，供需缺口将进一步扩大 [5] - 当前AI相关记忆体需求已超过现有供给两倍，且仍在快速增长 [7] AI资本支出与记忆体价值占比 - KB Securities预计2027年全球超大规模云服务商AI资本支出将达到1.3万亿美元，同比增长约60% [4] - 记忆体将占AI基础设施投资的57%，相比去年约14%的水平大幅提升 [4] - TrendForce预测记忆体占AI基础设施投资比例最高可达68% [4] HBM4产能影响 - 生产HBM4所消耗的晶圆产能约为普通DRAM的三倍 [5] - HBM每增加一单位产量，传统DRAM必须让出相应制造资源 [5] - 厂商不断将普通DRAM产线转换为HBM产线，虽增加高端产品供应，却进一步减少传统记忆体产量 [7] 行业扩产与供给瓶颈 - 三大原厂虽在扩产，但新增产能短期内难以缓解供给压力 [7] - 美光近期加码投资HBM生产线，重点提升12层堆叠HBM4供应能力 [7] - 从晶圆扩产到先进封装良率提升，整个建设周期需两到三年以上 [7] - 即便三星、SK海力士和美光持续扩产，未来几年市场仍可能长期处于供不应求状态 [7] 记忆体需求结构变化 - AI GPU需要大量HBM提供超高带宽，服务器CPU同步升级DDR5 [6] - 推理时代向量数据库、模型缓存和海量数据存储持续拉动企业级SSD需求 [6] - DRAM与NAND首次形成同步景气，而非过去此消彼长的周期关系 [7]