报告投资评级 - 行业投资评级：强于大市（维持）[1] 报告核心观点 - 存储行业正迎来强劲上行周期，AI持续拉动需求，行业供应紧张情况将持续至2026年，推动存储产品量价齐升 [5][6] - 美光科技（Micron）FY26Q1业绩超预期，数据中心需求强劲，高端产品如HBM、高容量SSD推进顺利，公司对未来季度业绩给出强劲指引 [6] - 报告认为本轮存储周期从强度和持续性方面都将超过上一轮，相关产业链企业有望迎来盈利水平明显提升 [7] 业绩表现与指引 - **FY26Q1业绩超预期**：Non-GAAP营收达136.4亿美元，同比增长57%，环比增长21%，Non-GAAP净利润达54.8亿美元，同比增长169%，环比增长58% [3][6] - **毛利率大幅提升**：FY26Q1单季度毛利率达56.8%，同比提升17个百分点，环比提升11个百分点 [6] - **FY26Q2业绩指引强劲**：预计营收区间为183-191亿美元，以中值187亿美元计算，将同比增长132%，环比增长37%，预计毛利率区间为67%-69%，以中值68%计算，同比提升30.1个百分点，环比提升11.2个百分点 [6] 业务部门表现 - **云数据业务创纪录**：收入达53亿美元，创历史记录，毛利率同比提升15个百分点 [6] - **各业务部门收入**：核心数据中心业务部门收入24亿美元，移动及客户端业务部门收入43亿美元，汽车及嵌入式业务部门收入17亿美元 [6] - **DRAM业务**：FY26Q1营收108亿美元，同比增长69%，占公司整体营收79%，DRAM位元出货量环比略增，但产品平均售价（ASP）环比增长20% [5][6] - **NAND业务**：FY26Q1营收27亿美元，同比增长22%，占公司整体营收20%，位元出货量实现中高个位数环比增长，产品ASP环比增长达两位数 [7] 数据中心与高端产品进展 - **数据中心需求强劲**：AI高景气推动AI数据中心加速建设，带动高性能和高容量存储需求显著增长 [6] - **HBM产品**：2026年的HBM产品价格与数量已与客户达成协议，HBM4产品预计将于FY26Q2推出，速率高达11Gbps [6] - **LP DRAM产品**：已推出192GB LP SOCAMM2产品样片，可实现超过50TB的机架级LP DRAM密度 [6] - **数据中心NAND产品**：FY26Q1营收突破10亿美元，基于G9 NAND技术的SSD已收获大量客户需求，122TB和245TB容量的QLC SSD处于多家超大规模客户认证过程中 [5][6] - **PCIe Gen6 SSD**：推出了全球首款PCIe Gen6 SSD，产品处于加速认证中 [5] 技术与产能展望 - **DRAM技术节点**：1-gamma DRAM产品推进顺利，预计将成为公司2026财年DRAM位元出货增长的重要驱动力，同时积极开发1-delta和1-epsilon技术节点 [5][7] - **NAND技术节点**：正加速推进G9节点产品的量产，在数据中心和cSSD方面取得不错的良率提升，预计2026财年G9节点将成为公司NAND出货位元增长的主要推手 [7] - **行业供应紧张**：由于AI数据中心加速建设不断催生存储需求，未来存储行业供应总量将远低于市场需求，存储供应紧张情况将持续至2026年，存储产品呈现量价齐升态势 [5] 投资建议 - 报告建议关注相关产业链企业，包括：北方华创、中微公司、拓荆科技、京仪装备、华海清科、精智达、江波龙、香农芯创、德明利、兆易创新、佰维存储、北京君正 [7]

报告投资评级 * 报告未明确给出对美光科技（MU）的具体投资评级（如“买入”、“持有”等）[1][7][8] 报告核心观点 * 美光科技FY2026Q1业绩全面超预期，营收、各业务部门及产品线营收均创历史记录，毛利率大幅超越指引上限，主要受益于AI驱动的强劲需求、行业供应紧张带来的价格上涨以及有效的成本控制和产品组合优化[2][12] * 公司对行业前景极为乐观，预计AI数据中心建设热潮将持续推动内存与存储需求急剧增长，而行业总供给在可预见的未来难以匹配需求增长节奏，供需紧张态势将延续至2026年及以后，行业景气度有望维持高位[5][13] * 公司给出FY26Q2强劲指引，预计营收环比增长37.1%至187亿美元，毛利率进一步提升至68.0%左右，显示其业绩增长势头强劲且盈利能力持续扩张[6][28] FY2026Q1业绩情况 * **总体业绩**：FY2026Q1实现营收136.43亿美元，环比增长20.6%，同比增长56.7%，高于指引中值（125亿美元）[2][12] Non-GAAP毛利率达56.8%，环比提升11.1个百分点，同比提升17.3个百分点，超过指引区间上限（51.5%±100基点）[2][12] 稀释后每股收益（Non-GAAP）为4.78美元[10] * **产品营收**：DRAM业务营收108亿美元，占总营收79%，环比增长20%，价格环比上涨约20%[16] NAND业务营收27亿美元，占总营收20%，环比增长22%，位元出货量环比增长中高个位数百分比，价格环比上涨十几个百分点[16] * **业务部门营收**：云内存业务部（CMBU）营收53亿美元，环比增长16%，占总营收39%[15] 核心数据中心业务部（CDBU）营收24亿美元，环比增长51%，占总营收17%[23] 移动和客户端业务部（MCBU）营收43亿美元，环比增长13%，占总营收31%[23] 汽车和嵌入式业务部（AEBU）营收17亿美元，环比增长20%，占总营收13%[23] * **供给能力提升**：公司将FY26资本支出计划提升至200亿美元，较此前预估增加20亿美元，重点投向HBM与1γ产品的供应能力建设[11] 加速全球产能布局，包括爱达荷州、纽约州的新晶圆厂，以及日本、新加坡、印度工厂的扩建与新建，以构建长期供应支撑体系[11] 终端市场进展与展望 * **数据中心市场**：AI数据中心建设进入大规模扩张阶段，公司预计2025年服务器市场出货量增长率接近20%，且2026年增长势头延续[3][24] HBM4产品具备业界领先的11Gbps以上速度，预计2026Q2高良率量产[3] 数据中心NAND产品组合收入超10亿美元，全球首款PCIe Gen6 SSD认证订单快速增长[3][24] * **PC市场**：公司预计2026年PC市场出货量将实现高个位数增长，但内存供应限制可能制约部分出货[4] 公司已完成基于16Gb/s、1γ的DDR5及G9 PCIe Gen4 QLC SLD内存等多项OEM认证[4] * **手机市场**：公司预期2026年智能手机出货量保持低个位数百分比增长，AI推动内存容量需求提升，旗舰机型12GB DRAM配置占比达59%，较去年同期翻倍[4] 公司推出1γ 16Gb LPDDR6样品，性能提升超50%[4] * **汽车与工业市场**：L2+及L3级技术普及推动存储需求，公司凭借差异化产品组合，其ASIL认证的LPDDR5X及UFS 4.1 NAND产品需求强劲，已斩获数十亿美元设计订单[4][28] 工业领域需求受自主系统普及推动持续增长[4][28] 行业供需预判 * **需求端**：AI数据中心建设热潮持续推动内存与存储需求急剧增长，公司对2025年DRAM和NAND闪存行业位元需求增速预期均较此前提升，其中DRAM位元需求增长率预计达20%出头，NAND闪存位元需求增长率将达近20%[5][13] * **供给端**：行业供应端存在约束，全球洁净室建设交付周期延长，新增产能释放受限[13] 公司预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量均较2025年增长约20%，公司自身相关产品出货量也计划增长约20%，但仍难以全面满足客户需求，供需缺口下行业景气度有望维持高位[5][13] FY2026Q2及未来业绩指引 * **营收指引**：预计FY26Q2营收为187亿美元，上下浮动4亿美元，环比增长37.1%，同比增长132.2%[6][28] * **毛利率指引**：预计FY26Q2毛利率在68.0%左右，上下浮动100基点，环比提升11.2个百分点，同比提升30.1个百分点[6][28] * **每股收益指引**：预计FY26Q2每股收益将达到创纪录的8.42美元，上下浮动0.20美元[34] * **未来展望**：公司认为毛利率在FY26Q2之后有进一步提升空间，但增长速度将比过去几个季度更为平缓[44] 2026年HBM产能已经售罄，公司已与客户完成2026日历年的销量和定价谈判[48] 其他关键信息（来自Q&A） * **HBM业务**：公司上调HBM总潜在市场预期，预计到2028年将达到1000亿美元，比之前预期提前两年[38][42] 2025年第三季度，公司HBM市场份额已达到与其DRAM整体市场份额相当的水平[41] 2026年将同时供应HBM3E和HBM4，HBM4良率爬坡速度预计快于HBM3E[36] * **长期协议**：公司正与多家核心客户洽谈涉及DRAM和NAND产品的多年期合同，合同结构与以往的一年期合同不同，具有更严谨的结构和明确的承诺[31][47] * **供应状况**：中期来看，公司只能满足多家核心客户50%到三分之二的需求[35][47] 供应紧张环境预计将持续，非HBM DRAM的供应也将保持紧张[38] * **企业级SSD**：企业级SSD业务增长势头强劲，人工智能从训练向推理的快速演进正在推动企业级SSD的需求增长[39][40]