行业研究 * 行业：全球半导体行业 * 核心观点： * 预计低功耗低延迟宽I/O (LLW) DRAM 将在 2025 年下半年成为高带宽解决方案。 * LLW DRAM 基于垂直线扇出 (VFO) 技术，数据传输速度更快，功耗更低。 * 预计 LLW DRAM 将在移动应用中作为高带宽解决方案，并作为处理器中 SRAM 的替代品。 * 预计 LLW DRAM 将从 2025 年下半年开始迅速采用。 * 论据： * LLW DRAM 相比传统 LPDDR 产品，I/O 数量增加，容量（带宽）增加。 * LLW DRAM 将提高 I/O，以实现类似 HBM 的性能，同时满足移动客户的需求。 * SK 海力士和三星电子正在开发 LLW DRAM，并计划在 2025 年下半年推出。 * 其他重要内容： * VFO 技术是 LLW DRAM 的关键技术，可以减少空间和功耗。 * SK 海力士和三星电子在 VFO 技术方面取得了进展，并计划在 2025 年推出 LLW DRAM。 * 预计 LLW DRAM 将主要用于两个目的：提高数据处理速度和减少芯片尺寸。 公司研究 * 公司：三星电子和 SK 海力士 * 核心观点： * 预计 LLW DRAM 将成为移动应用中的微型 HBM 解决方案，并降低芯片制造成本。 * 预计 LLW DRAM 将主要用于两个目的：提高数据处理速度和减少芯片尺寸。 * 预计 LLW DRAM 将从 2025 年下半年开始迅速采用。 * 论据： * LLW DRAM 相比传统 LPDDR 产品，I/O 数量增加，容量（带宽）增加。 * LLW DRAM 将提高 I/O，以实现类似 HBM 的性能，同时满足移动客户的需求。 * SK 海力士和三星电子在 VFO 技术方面取得了进展，并计划在 2025 年推出 LLW DRAM。 * 其他重要内容： * 预计 LLW DRAM 将主要用于移动应用和处理器中 SRAM 的替代品。 * 预计 LLW DRAM 将从 2025 年下半年开始迅速采用。 * 预计 LLW DRAM 将降低芯片制造成本。