存储板块展望 - 大存储(DRAM和3D Nand)已经达到价格底部,随着主要厂商持续减产,供需基本平衡,预计明年价格将延续反弹趋势,但不会出现暴涨暴跌[3][4] - 利基型DRAM也将随大存储反弹而延续微弱反弹[3] - NOR Flash和SLC Nand Flash需求有所反弹,价格趋于平稳,预计明年供需将逐步恢复平衡[4] 毛利率改善 - 经销DRAM业务大幅缩减,提升了整体毛利率[4] - 部分之前计提存货减值的产品实现销售,利润冲回[4] - 但NOR Flash和MCU价格仍处于筑底过程,第四季度和明年毛利率情况主要取决于需求回暖[4][5] DRAM业务规划 - 公司DRAM主要为利基型产品,已实现DDR4量产,DDR3即将完成客户导入,未来将补齐整个标准接口利基型DRAM产品线[5] MCU产品情况 - MCU产品价格已基本趋于平稳,第四季度仍将维持平稳并筑底[4][5] - M7内核新MCU产品正在陆续量产[6] - MCU行业竞争激烈,但公司凭借多年积累的客户基础和技术优势,有望在行业洗牌中脱颖而出[7] 存货管理 - 公司存货呈逐步下降趋势,存货周转率约5-6个月,长账龄存货已计提充分减值[7][8] - 成本端变化对毛利率的影响会是一个平滑的过程,四季度成本优化带来的毛利率提升空间有限[8] 其他 - 利基DRAM价格受主流DRAM价格牵引,但联动性不确定[11] - NOR Flash价格短期内难有明显上涨,需要供需平衡后观察新需求拉动[9] - 公司RISC-V架构MCU产品线不断丰富,满足成本敏感客户需求[10] - 车规MCU产品线将进一步拓展至更高需求领域[12]