报告基本信息 - 报告期为2024年半年度[1] - 报告期为2024年1月1日至2024年6月30日[7] - 公司代码为688082，简称为盛美上海[1] - 本半年度报告未经审计[2] - 公司中文名称为盛美半导体设备（上海）股份有限公司，简称盛美上海[9] - 公司外文名称为ACM Research (Shanghai), Inc.，缩写为ACMSH[9] - 公司法定代表人为HUI WANG[9] - 公司注册地址和办公地址均为中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢[9] - 公司办公地址邮政编码为201203[9] - 公司网址为www.acmrcsh.com.cn，电子信箱为ir@acmrcsh.com[9] - 董事会秘书（信息披露境内代表）为罗明珠，联系电话为021 - 50276506，传真为021 - 50808860，电子信箱为ir@acmrcsh.com[10] 公司治理与重要事项 - 董事会决议通过的本报告期无利润分配预案或公积金转增股本预案[2] - 不存在公司治理特殊安排等重要事项[2] - 不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[2] - 不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[2] - 不存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性[2] 子公司与客户信息 - 盛美无锡、盛帷上海等为盛美上海全资子公司[5] - 华虹集团、长电科技等为盛美上海客户[5] 财务数据关键指标变化 - 2024年1 - 6月营业收入24.04亿元，同比增长49.33%[14][15][61][81] - 2024年1 - 6月归属于上市公司股东的净利润4.43亿元，同比增长0.85%[14][61][81] - 2024年1 - 6月归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4.35亿元，同比增长6.92%[14][61][81] - 2024年1 - 6月经营活动产生的现金流量净额4.47亿元，同比上升[14][16] - 2024年半年度末归属于上市公司股东的净资产68.05亿元，较上年度末增长5.37%[14] - 2024年半年度末总资产110.00亿元，较上年度末增长12.78%[14] - 2024年1 - 6月基本每股收益1.02元/股，同比增长0.99%[15] - 2024年1 - 6月稀释每股收益1.00元/股，同比下降0.99%[15] - 2024年1 - 6月研发投入占营业收入的比例为16.24%，较上年同期增加1.32个百分点[15] - 报告期末，公司应收账款账面价值为152,367.20万元，占总资产的比例为13.85%[73] - 报告期末，公司存货账面价值为438,837.99万元，占流动资产的比例为50.39%[74] - 报告期末，公司库存商品和发出商品账面价值为207,877.61万元，占存货账面价值的比例为47.37%[74] - 报告期内，公司财务费用中汇兑收益为 - 1,290.20万元[75] - 报告期主营业务毛利率为50.11%，较为平稳[76] - 报告期初资产总额为975,379.77万元，期末为1,100,029.96万元，上涨12.78%；报告期营业总收入为240,389.67万元，上年同期为160,980.59万元，上涨49.33%[78] - 营业成本1,185,660,897.60元，较上年同期779,143,724.69元增长52.17%[82] - 销售费用237,397,578.44元，较上年同期127,365,036.58元增长86.39%[82] - 管理费用155,825,271.73元，较上年同期66,290,078.57元增长135.07%[82] - 研发费用346,224,522.35元，较上年同期212,988,485.13元增长62.56%[82] - 投资活动产生的现金流量净额-176,872,761.71元，较上年同期342,077,641.67元下降151.71%[82] - 货币资金本期期末数为21.61亿元，占总资产19.65%，较上年期末增长41.86%[85] - 应收票据本期期末数为441.31万元，占总资产0.04%，较上年期末增长505.78%[85] - 短期借款本期期末数为3.88亿元，占总资产3.53%，较上年期末增长74.66%[85] - 其他应付款本期期末数为3.39亿元，占总资产3.08%，较上年期末增长404.83%，主要因计提应付股利2.73亿元[85][86] - 报告期末境外资产为38.85亿元，占总资产比例为35.32%[88] - 清芯科技有限公司本报告期营业收入为18.74亿元，净利润为3361.57万元[89] - 受限货币资金期末余额为631.98万元，受限固定资产期末余额为2.50亿元，合计2.56亿元[90] - 报告期对外投资额为323.74万元，上年同期为 - 1351.83万元[92] - 对合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业增资3000万元，持股比例10%，本期投资损益为 - 85.53万元[93] - 以公允价值计量的金融资产期末数为24.32亿元，本期公允价值变动损益为 - 777.82万元[94] - 证券投资最初投资成本合计236,899,900.24元，期初账面价值208,644,613.36元，本期公允价值变动损益-7,778,230.46元，本期购买金额72,499,970.91元，本期出售金额32,129,071.46元，处置损益-1,979,922.03元，期末账面价值243,217,204.38元[95] - 清芯科技有限公司注册资本港币10元，持股比例100%，总资产479,668.53万元，净资产17,848.24万元，营业收入187,405.00万元，净利润3,361.57万元[96] - 盛帷半导体设备（上海）有限公司注册资本人民币70,000万元，持股比例100%，总资产240,288.42万元，净资产58,924.55万元，营业收入38,322.92万元，净利润4,490.37万元[96] - ACM Research Korea Co., LTD注册资本韩元10,000万元，香港清芯持有100%，总资产24,719.91万元，净资产3,261.83万元，营业收入20,242.08万元，净利润-697.70万元[96] 公司荣誉与资质 - 公司是中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品获众多国内外主流半导体厂商认可[21] - 公司2022至2023年度信息披露工作评价结果为"A"[23] - 公司连续多年被评为"中国半导体设备五强企业"[22] - 公司入选首批"上海市集成电路先进湿法工艺设备重点实验室"[22] - 公司被认定为国家级"专精特新小巨人企业"[22] - 公司获得ISO 14001环境管理体系认证和ISO 45001职业健康安全管理体系认证[22] 产品技术与工艺 - 公司单片清洗设备最高可单台配置18腔体[25] - 公司TEBO清洗设备适用于28nm及以下的图形晶圆清洗[24][40] - 新型单片高温SPM设备工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超200摄氏度[26] - 新型单片高温SPM设备可支持300mm晶圆单片SPM工艺[26] - 全自动槽式清洗设备能够同时清洗50片晶圆[27] - 清洗设备主要应用于40nm及以上技术节点的清洗工艺[28] - 公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map[28] - 三维电镀设备Ultra ECP 3d开发出针对20200µm深的电镀工艺[28] - 无应力抛光设备利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度[31] - 无应力抛光设备耗材成本降低50%以上[31] - 先进封装电镀设备在针对高密度封装的电镀领域可实现2μm超细RDL线的电镀[31] - 无应力抛光先进封装平坦化设备先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm - 0.2μm厚度[33] - 前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备应用于300毫米前道集成电路制造工艺[29] - 公司推出6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线[31] - 升级版涂胶设备涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型[32] - 带框晶圆清洗设备创新溶剂回收系统可实现近100%的溶剂回收和过滤效果[36] - CMP后清洗设备可选择2、4或6个腔体配置以满足不同产能需求[37] - Final Clean清洗设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，可选择4、8或12个腔体配置[37] - Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备及前道涂胶显影设备Ultra Lith将使公司全球可服务市场规模翻倍增加[38] - SAPS兆声波清洗技术的兆声波工艺频率范围为1 - 3MHz，最大功率可达3W/cm²，可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内[39] - 单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺[41] - 公司成功开发前道铜互连电镀设备Ultra ECP map&map+机型及电镀工艺，整机设备进入量产验证且大部分实现产线量产[42] - 公司推出前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备，已进入客户端进行ArF工艺验证阶段[44] - 公司单片高温硫酸清洗设备的硫酸加热系统可达190℃+，SPM清洗液可达230℃以上[45] - 兆声波单片清洗设备SAPS技术应用于逻辑28nm、DRAM 19nm技术节点，可拓展至逻辑14nm等；TEBO技术应用于逻辑28nm技术节点，已进行16 - 19nm DRAM工艺评估，可拓展至14nm逻辑芯片等；在DRAM上SAPS和TEBO均有70多步应用，逻辑电路FinFET结构清洗中SAPS近20步、TEBO 10多步应用[55] - 单片槽式组合清洗设备已完成逻辑芯片40nm及28nm技术节点产线验证，可拓展至14nm逻辑芯片、20nm DRAM及以上技术节点及64层及以上3D NAND，可用于20步及以上清洗步骤[56] - 超临界CO₂清洗干燥技术应用于DRAM 17/19nm技术节点以下，可扩展到逻辑芯片5nm及以下Fin结构及3D NAND L128/193堆叠结构[56] - 大部分SPM湿法工艺中硫酸与双氧水混合后工艺温度在145摄氏度以下，随着技术推进，145摄氏度以上甚至超200摄氏度的SPM工艺步骤增加[56] - 公司半导体清洗设备主要应用于12英寸晶圆制造领域清洗工艺，适用尺寸与国际巨头类似产品无竞争差距[58] - 公司铜互连电镀工艺设备适用于双大马士革铜互连结构铜电化学沉积工艺55nm至7nm及以上技术节点[57] - 公司边缘湿法刻蚀设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺[57] - 公司半导体清洗设备技术节点可推进到10nm及以下[57] 研发情况 - 截至2024年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利463项，其中境内授权专利177项，境外授权专利286项，发明专利共计461项[48][64] - 报告期内，发明专利新增申请数144个，获得数27个，累计申请数1304个，获得数461个[48] - 本期费用化研发投入346,224,522.35元，上年同期212,988,485.13元，变化幅度62.56%[49] - 本期资本化研发投入44,099,170.25元，上年同期27,267,043.48元，变化幅度61.73%[49] - 本期研发投入合计390,323,692.60元，上年同期240,255,528.61元，变化幅度62.46%[49] - 本期研发投入总额占营业收入比例16.24%，上年同期14.92%，增加1.32个百分点[49] - 本期研发投入资本化的比重11.30%，上年同期11.35%，减少0.05个百分点[49] - 公司在研项目预计总投资规模31.08亿元，本期投入3.90亿元，累计投入20.84亿元[51][52] - 前道清洗设备预计总投资16.86亿元，本期投入1.76亿元，累计投入11.09亿元，已达量产阶段[51] - 半导体电镀设备预计总投资6.00亿元，本期投入0.76亿元，累计投入3.99亿元，已达量产阶段[51] - 先进封装湿法设备及硅材料衬底制造湿法设备预计总投资1.62亿元，本期投入0.22亿元，累计投入1.20亿元，完成工艺验证并量产[51] - 公司研发人员数量776人，占公司总人数的46.22%，上年同期为645人，占比46.77%[53] - 研发人员薪酬合计16022.18万元，平均薪酬20.70万元，上年同期分别为11130.13万元和17.26万元[53] - 研发人员中博士研究生12人，占比1.55%；硕士研究生349人，占比44.97%[53] - 研发人员中30岁以下（不含30岁）438人，占比56.44%；30 - 40岁（含30岁，不含40岁）277人，占比35.70%[53] - 研发人员中40 - 50岁（含40岁，不含50岁）48人，占比6.19%；50 - 60岁（含50岁，不含60岁）9人，占比1.16%[54] - 研发人员中60岁及以上4人，占比0