报告基本信息 - 报告期为2024年上半年[1] - 本半年度报告未经审计[4] - 公司中文名称为苏州东微半导体股份有限公司，股票简称东微半导，代码688261，在上海证券交易所科创板上市[11][13] 财务数据关键指标变化 - 受多种因素影响，公司产品销售价格和毛利率下降，营业收入较2023年同期下滑[3] - 本报告期（1 - 6月）营业收入419,534,397.10元，上年同期533,077,050.64元，同比减少21.30%[16] - 本报告期归属于上市公司股东的净利润16,941,427.14元，上年同期100,135,576.33元，同比减少83.08%[16] - 本报告期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1,662,716.79元，上年同期92,388,920.18元，同比减少98.20%[16] - 本报告期经营活动产生的现金流量净额 -24,368,076.81元，上年同期7,609,884.60元，同比减少420.22%[16] - 本报告期末归属于上市公司股东的净资产2,880,539,109.85元，上年度末2,862,140,980.04元，同比增加0.64%[16] - 本报告期末总资产3,061,982,228.07元，上年度末3,011,763,533.44元，同比增加1.67%[16] - 2024年上半年基本每股收益0.18元/股，上年同期1.06元/股，减少83.02%；稀释每股收益0.18元/股，上年同期1.06元/股，减少83.02%；扣除非经常性损益后的基本每股收益0.02元/股，上年同期0.98元/股，减少97.96%[17] - 2024年上半年加权平均净资产收益率0.59%，上年同期3.49%，减少2.90个百分点；扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率0.06%，上年同期3.22%，减少3.16个百分点[17] - 2024年上半年研发投入占营业收入的比例9.24%，上年同期7.40%，增加1.84个百分点[17] - 2024年上半年归属于上市公司股东的净利润与扣除非经常性损益的净利润分别较上年同期减少83.08%、98.20%[17] - 2024年第二季度实现营业收入24,642.59万元，环比第一季度增长42.35%；实现归属于上市公司股东的净利润1,264.74万元，环比第一季度增长194.53%[19] - 2024年上半年经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少420.22%[19] - 非经常性损益中，计入当期损益的政府补助2,850,153.70元，非金融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益15,349,869.95元，因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一次性影响 -1,240,093.39元，其他营业外收入和支出154,202.73元，所得税影响额1,835,422.64元，合计15,278,710.35元[20][21] - 2024年上半年研发投入合计38783945.46元，较上年同期39436557.87元下降1.65%，投入总额占营业收入比例从7.40%增加至9.24% [62] - 2024年上半年公司实现营业收入4.20亿元，较上年同期减少21.30%；归属于上市公司股东的净利润1,694.14万元，较上年同期减少83.08%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润166.27万元，较上年同期减少98.20%[79] - 报告期内，公司主营产品高压超级结MOSFET销量同比上升，但营业收入较2023年同期下滑[89] - 公司产品销售价格和毛利率下降，受全球经济及竞争格局等因素影响[89] - 报告期内营业收入4.20亿元，较上年同期减少21.30%[105] - 报告期内归属于上市公司股东的净利润1,694.14万元，较上年同期减少83.08%[105] - 报告期内归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润166.27万元，较上年同期减少98.20%[105] - 2024年上半年投资活动现金流量净额为-899,462,517.44元，筹资活动现金流量净额为-10,426,319.56元[109] - 2024年上半年投资收益金额为5,548,222.73元，主要因购买理财产品到期收益增加[109] - 货币资金期末数为1,316,437,582.54元，占总资产42.99%，较上年期末降41.51%，因购买理财产品增加[111] - 应收票据期末数为21,868,509.49元，占总资产0.71%，较上年期末增538.08%，因收到商业承兑汇票增加[111] - 固定资产期末数为52,420,638.85元，占总资产1.71%，较上年期末增173.20%，因新增研发测试设备[111] - 使用权资产期末数为16,018,808.85元，占总资产0.52%，较上年期末增362.20%，因新增租赁办公场所[111][112] - 长期待摊费用期末数为16,637,036.43元，占总资产0.54%，较上年期末增969.88%，因新增租赁场所装修[112] - 应付职工薪酬期末数为3,839,598.15元，占总资产0.13%，较上年期末降62.68%，因支付年终奖[112] - 应交税费期末数为863,475.42元，占总资产0.03%，较上年期末增407.39%，因代扣代缴个税增加[112] - 租赁负债期末数为11,167,324.08元，占总资产0.36%，较上年期末增989.09%，因新增租赁办公场所[112][113] - 报告期投资额为0元，上年同期为9900万元，变动幅度-100%[115] - 交易性金融资产本期公允价值变动损益为272.050456万元，本期购买金额32.62837亿元，出售/赎回金额23.80974亿元，期末数为8.8458350456亿元[115] - 应收款项融资期初数为1770.799479万元，其他变动为-551.392498万元，期末数为1219.406981万元[115] - 以公允价值计量的金融资产合计期初数为3270.799479万元，本期公允价值变动损益为272.050456万元，本期购买金额32.62837亿元，出售/赎回金额23.80974亿元，其他变动为-551.392498万元，期末数为9.1177757437亿元[115] - 私募股权投资基金拟投资总额为7500万元，截至报告期末已投资金额为7500万元，报告期利润影响为610.01443万元，累计利润影响为506.37419万元[117] 各条业务线数据关键指标变化 - 公司主要产品高压超级结MOSFET销量同比上升[3] - 高压超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入3.34亿元，较2023年同期减少24.18%[79] - 中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入7,248.02万元，较2023年同期增长2.66%[79] - Tri - gate IGBT产品报告期内实现营业收入1,095.64万元，较2023年同期减少22.34%[79] - 超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入142.95万元，较2023年同期减少80.56%[79] - SiC器件产品（含Si2C MOSFET）报告期内实现营业收入33.17万元，较2023年同期增长446.93%[79] - 高压超级结MOSFET产品报告期内营业收入3.34亿元，较2023年同期减少24.18%[105] - 中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内营业收入7,248.02万元，较2023年同期增长2.66%[105] - 车规级、工业级领域报告期内营业收入占比逾76%[106] - 各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入比重约33%，较上年同期增长约75%[106] 市场规模与行业趋势 - 全球功率半导体市场规模预计将由2022年的481亿美元增长至2023年的503亿美元，到2027年达到596亿美元[24] - WSTS预计集成电路市场2024和2025年同比增速分别为+20.8%/+13.7%[24] - 预计2024年中国功率半导体市场规模将达到206亿美元，占全球市场规模约为38%[24] - 高性能MOSFET功率器件会不断扩大应用范围，实现市场普及[30] - SiC MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代[30] - 终端领域高功率密度需求带动功率器件模块化和集成化[30] - 2024年上半年我国汽车产销分别为1389.1万辆和1404.7万辆，同比增长4.9%和6.1%；新能源汽车产销分别为492.9万辆和494.4万辆，同比增长30.1%和32%，市场占有率达35.2%[31] - 截至2024年6月底，国产新能源汽车累计产销超3000万辆[31] - 2020 - 2026年MOSFET非动力应用市场将从8.3亿美元增至11.1亿美元，ADAS将从0.3亿美元增至0.9亿美元，非燃油车动力总成市场将从1.5亿美元增至6亿美元[31][32] - 2024年上半年充电基础设施增量为164.7万台，截至6月底累计数量为1024.3万台，同比增加54.0%，充电设施与新能源汽车增长比例为1:3[33] - 2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2025年达317.9亿美元，2023 - 2025年CAGR为22.7%；中国AI服务器市场规模将从2021年的53.9亿美元增长到2025年的103.4亿美元，2021 - 2025年CAGR达17.7%[35] - 截至2024年6月30日，我国5G基站总数达391.7万个，比上年末净增54万个，占移动基站总数的33%[35] - 2024年上半年光伏新增装机102.48GW，截至6月底累计并网容量712.93GW[35] - 600V功率器件市占率从2021年的46%提升到2027年的49%，1200V功率器件市占率从2021年的11%提升到2027年的20%，1700V功率器件市占率从2021年的2%提升到2027年的3%[36] - 2024年储能市场规模预计为511.0亿美元，预计到2029年将达到997.2亿美元，2024 - 2029年复合年增长率为14.31%[36] 公司技术与产品进展 - 公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一[28] - 公司在超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、IGBT、SiC领域有领先技术和产品[28][29] - 公司功率器件产品包含多种高技术含量产品，有进口替代空间[29] - 公司基于自主专利技术开发出650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入多个头部客户[37] - 公司第一代及第二代1200V SiC MOSFET产品已通过可靠性测试并获订单，650V/750V/1200V的第三代、第四代SiC MOSFET研发进展顺利[37] - 公司GreenMOS高压超级结功率器件标准通用系列包含550V - 950V全系列[40] - 公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V - 250V工作电压[42] - 公司TGBT产品工作电压范围覆盖600V - 1350V，工作电流覆盖15A - 200A[45] - 公司TGBT高速系列开关频率可达100kHz[45] - 公司TGBT低导通压降系列导通压降可降低至1.5V及以下[45] - 公司TGBT超低导通压降系列导通压降可达1.2V以下[45] - 公司完成超级结MOSFET 8英寸扩产12英寸的量产工作，基于12英寸平台的第四代、第五代量产推进初见成效，部分物料获批量订单，正布局第六代研发[47] - 公司优化25V - 150V中低压屏蔽栅MOSFET全规格段产品性能，多颗产品通过第三方车规考核，30V、40V、60V产品在服务器及AI算力电源领域持续批量出货，25V高频管小批量出货[47] - 公司推出650V - 1200V优化版独创结构IGBT系列TGBT器件，完成从8英寸到12英寸代工厂扩展，950V TGBT芯片制造的330KW功率模块批量用于光伏发电方案且安全运行超半年[47] - 公司与多家国内一线SiC晶圆代工厂战略合作稳步进行，第一代及第二代1200V SiC MOSFET获客户订单，第三代、第四代研发进展顺利[47] - 公司主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品完成从8英寸到12英寸代工厂扩展，产能显著提升[50] - 高压超级结MOSFET领域，第三代、第四代产品大批量交付市场，第五代小批量交付并准备量产，第六代工艺平台方案定型[50] - 中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司完成25V - 150V系列技术升级，器件性能提升[51] - TGBT领域，950V TGBT芯片制造的330KW功率模块安全运行超半年，持续获一线客户小批量订单[51] - Si2C MOSFET部分使用SiC衬底，克服传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移缺点，实现高栅氧可靠性和接近SiC MOSFET的反向恢复能力[46] - 公司各核心技术持续提升器件工业