文章核心观点 公司推出第三代低温电介质蚀刻技术Lam Cryo™ 3.0，该技术在3D NAND闪存蚀刻领域取得突破，能助力客户实现1000层3D NAND生产，满足AI时代对大容量、高性能内存的需求 [1][2] 产品介绍 - 采用超低温、高功率受限等离子体反应器技术和表面化学创新，蚀刻精度和轮廓控制达行业领先水平 [1] - 利用独特高功率受限等离子体反应器、工艺改进和低于 - 0°C 的温度，结合Vantex®介电系统的脉冲等离子体技术，显著提高蚀刻深度和轮廓控制 [5] - 可蚀刻深度达10微米的存储通道，关键尺寸偏差小于0.1% [5] 产品优势 - 为客户实现1000层3D NAND铺平道路，能以埃级精度创建高纵横比特征，降低环境影响，蚀刻速率是传统电介质工艺的两倍多 [2] - 蚀刻速度比传统电介质工艺快2.5倍，晶圆间重复性更好，助3D NAND制造商以低成本实现高产量 [6] - 每片晶圆能耗降低40%，排放量比传统蚀刻工艺最多降低90% [6] - 可集成到公司最新的Vantex系统，也与Flex® HAR介电蚀刻机兼容 [6] 行业背景 - AI推动云边缘对闪存容量和性能的需求呈指数级增长，促使芯片制造商在2030年底前实现1000层3D NAND [4] - 3D NAND主要通过堆叠垂直存储单元层发展，蚀刻深而窄的高纵横比存储通道时，微小偏差会影响芯片电气性能和良率 [3] 公司地位 - 在晶圆制造蚀刻技术领域有二十年领先地位，涵盖七代3D NAND技术，2019年推出全球首个低温蚀刻产品投入量产 [7] - 目前NAND生产中使用的超7500个高纵横比介电蚀刻腔室中，近1000个采用低温蚀刻技术 [7] 产品可用性 - Lam Cryo 3.0现已向领先内存制造商供货，是公司3D NAND制造蚀刻、沉积和清洁解决方案组合的最新产品 [8] 公司概况 - 是全球半导体行业创新晶圆制造设备和服务供应商，设备和服务助客户制造更小、性能更好的设备，几乎所有先进芯片都采用其技术 [9] - 是《财富》500强公司，总部位于加州弗里蒙特，业务遍布全球 [9]