文章核心观点 公司创新的干光刻胶技术获imec认证，可用于2nm及以下制程的28nm间距后端逻辑直写，能提升EUV光刻的分辨率、生产率和良率 [1] 公司技术情况 - 干光刻胶技术可提供无与伦比的低缺陷、高分辨率图案化，是前沿半导体器件设计和制造的关键工艺 [2] - 该技术有助于优化图案化，克服EUV曝光剂量（成本）和缺陷率（良率）之间的权衡 [3] - 28nm间距干光刻胶工艺与低NA EUV扫描仪配合使用，可扩展到高NA EUV扫描仪，能提高EUV灵敏度和每次晶圆通过的分辨率，改善成本、性能和良率 [4] - 干光刻胶比现有湿化学光刻胶工艺消耗更少能源和少五到十倍的原材料，具有关键的可持续性优势，且在成本相当的情况下，缺陷率极低，性能优于湿光刻胶材料 [4] 合作方评价 - imec作为设备制造商的中立合作伙伴，通过联合研发展示新材料和设备的可行性，支持工艺开发，为集成设备制造商和代工厂提供创新工艺的早期访问，加速其制造路线图，认为公司的干光刻胶在有竞争力的剂量下实现了出色的缺陷率和保真度 [5] 公司概况 - 公司是全球半导体行业创新晶圆制造设备和服务供应商，其设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的器件，如今几乎每颗先进芯片都采用公司技术制造 [6] - 公司是《财富》500强公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球 [6]