Breakthrough EUV Dry Photoresist Technology from Lam Research Adopted by Leading Memory Manufacturer
文章核心观点 Lam Research公司的创新干光刻胶技术Aether®被一家领先的内存制造商选为最先进DRAM工艺的生产工具,该技术克服了DRAM设计转移到晶圆的挑战,优化了EUV光刻的分辨率、生产率和良率,具有成本和可持续性优势 [1][2] 分组1:技术介绍 - 干光刻胶技术是Lam在2020年推出的突破,可扩展极紫外(EUV)光刻的分辨率、生产率和良率,EUV光刻是生产下一代半导体器件的关键技术 [1] - Aether®显著提高EUV灵敏度和每次晶圆通过的分辨率,使最具挑战性的图案更好地附着在晶圆上,提高性能和良率,且比传统湿化学抗蚀剂工艺消耗更少的能源和少五到十倍的化学品 [4] 分组2:技术优势 - Lam的干光刻胶方法克服了将精细DRAM设计转移到晶圆的最大挑战,提供低缺陷、高保真度的精度,在成本和可持续性方面具有关键优势 [2] - Aether®工具用于形成干抗蚀剂底层和薄膜,并使用干显影工艺,克服了曝光剂量和制造缺陷率之间的传统权衡,实现精确、低缺陷的图案化,降低成本并提高扫描仪生产率 [2] 分组3:行业需求 - 能源和计算密集型应用要求在更小的空间内持续扩展内存容量,以降低每比特数据的成本,EUV光刻的广泛采用是实现这一扩展的关键推动因素 [3] 分组4:公司介绍 - Lam Research Corporation是半导体行业创新晶圆制造设备和服务的全球供应商,其设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备,几乎每个先进芯片都使用Lam技术制造 [5]