文章核心观点 复旦大学周鹏、刘春森团队研制的"破晓（PoX）"皮秒闪存器件突破信息存取速度极限，满足AI对算力和能效要求，有望重塑全球存储技术格局，推动产业升级并助力中国半导体产业发展 [1][10] 现有存储技术问题 - 现有分级存储架构由易失性和非易失性存储器配合工作，能满足操作速度和存储容量要求，但在AI时代无法满足计算芯片对算力和能效的需求 [3] - 破局点在于解决信息的非易失存取速度极限问题 [3] 团队研究历程 - 10年前周鹏团队开始布局研发第三类存储技术，2015年刘春森师从周鹏用二维半导体材料制作存储器 [4] - 2018年团队设计半浮栅结构晶体管，构筑二维半导体准非易失性存储原型器件，写入速度比当时U盘快1万倍 [4] - 2021 - 2024年团队相继取得突破性进展，2024年实现最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证 [4] “破晓”器件特性 - “破晓”皮秒闪存器件擦写速度达亚1纳秒（400皮秒），每秒可工作25亿次，与计算机芯片工作速度相当，工作电压低于5伏，能耗具优势 [5] - “破晓”是世界最快的半导体电荷存储器件，性能超越同技术节点下最快的易失性存储SRAM技术 [5] 团队创新突破 - 2020年团队决心打破现有体系，从物理第一性原理出发，突破闪存存取速度边界 [5] - 团队构建准二维泊松模型，理论预测无极限超注入新路径，结合二维狄拉克能带结构与弹道输运特性，实现沟道电荷向存储层的超注入 [7] 产业化推进 - 团队以“破晓”原型器件为起点，加速推进皮秒闪存器件产业化，同步开展Kb级小规模量产工作 [10] - 通过AI算法优化工艺测试条件，能推动“破晓”存储器件技术创新与落地 [10]