早在2000年前后公司开始开发晶圆级WLP技术，2009年研发TSV通孔技术连接多层DRAM晶圆， 2013/2016年的HBM/HBM2产品均采用TC-NCF技术，HBM2E(2019年)、8层HBM3(2021年)采用MR- MUF技术，12层HBM3(2023年)、HBM3E(2023年)采用Advanced MR-MUF技术，研发的16层HBM3E产 品也会采用Advanced MR -MUF技术进行规模量产，同时对混合键合(hybrid bonding)技术进行工艺的技 术验证。 Samsung和SK Hynix都有自己的HBM供应链 ①、Samsung的产线设备主要是日本的Toray、Sinkawa，和韩国SEMES;②、SK Hynix主要是HANMI Semiconductor、ASMPT、Hanhwa Precision Machinery。目前，HANMI Semiconductor大概占据全球TC Bonder市场规模65%的份额，而在HBM3E的TC Bonder领域则几乎占据90%左右的份额。SEMES的TC Bonder非常擅长TC-NCF工艺领域;HANMI Semiconduc ...