HBM行业概述 - HBM是将DRAM通过先进封装技术堆叠并与GPU整合于同一芯片上的高频宽存储器 [1] - AI服务器是HBM最重要的当前市场 未来智能驾驶汽车将大量采用HBM [1] - 中国HBM产业目前能量产HBM2和HBM2E 预计2026E/2027E实现HBM3和HBM3E突破 [1] - 本土HBM产业发展需依赖Fab、设计公司、设备及材料公司的协同 键合堆叠环节是关键突破点 [1] 全球HBM竞争格局 - 2023年全球HBM市场份额：SK Hynix 55% Samsung 41% Micron 3% [1] - SK Hynix为技术领导者：2013年推出首颗TSV通孔HBM 2024年10月量产12层36GB HBM3E 正在研发16层48GB HBM3E [1] - 技术迭代路径：2017年HBM2→2019年HBM2E→2021年HBM3→2023年HBM3E [1] SK Hynix技术演进 - 堆叠工艺发展：TC-NCF→MR-MUF→Advanced MR-MUF 16层HBM3E将采用Advanced MR-MUF并验证混合键合技术 [2] - 技术里程碑：2009年研发TSV通孔 2013年HBM采用TC-NCF 2023年12层HBM3采用Advanced MR-MUF [2] HBM供应链分析 - Samsung供应链：日本Toray/Sinkawa和韩国SEMES提供设备 [3] - SK Hynix供应链：HANMI Semiconductor/ASMPT/Hanhwa Precision Machinery为主 [3] - HANMI Semiconductor占全球TC Bonder市场65%份额 HBM3E领域占比达90% [3] - SEMES擅长TC-NCF工艺 HANMI与SK Hynix合作开发MR-MUF兼容TC-NCF的TC Bonder [3]