公司专利技术 - 通威微电子申请了一项名为"一种沟槽 MOSFET 器件及其制作方法"的专利，公开号 CN119997567A，申请日期为 2025 年 4 月 [1] - 该专利涉及半导体技术领域，通过改进栅氧层结构和材料（低 K 介质层），大幅降低栅氧失效概率，提高栅氧可靠性及器件鲁棒性 [1] - 专利技术方案包括 N 型衬底、双外延层结构、沟槽区栅极设计等具体工艺细节 [1] 公司基本情况 - 通威微电子成立于 2021 年，位于成都市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本达 8.5 亿人民币，显示较强的资金实力 [2] - 公司已参与招投标项目 14 次，拥有 287 条专利信息和 12 个行政许可，显示较强的技术积累和业务活跃度 [2]