金融界 2025 年 5 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，通威微电子有限公司申请一项名为"一种沟 槽 MOSFET 器件及其制作方法"的专利，公开号 CN119997567A，申请日期为 2025 年 4 月。 专利摘要显示，本申请提供了一种沟槽 MOSFET 器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。包括 N 型 衬底；第一 N 型外延层；位于第一 N 型外延层表层的氧化物层，氧化物层中设置有低 K 介质层；位于 第一 N 型外延层表面的第二 N 型外延层，第二 N 型外延层设置有沟槽区；沟槽区设置有栅氧层与栅极 多晶硅，栅氧层位于沟槽区的侧壁，并环绕栅极多晶硅设置，栅极多晶硅的底部与氧化物层接触；位于 第二 N 型外延层内的 P 型阱区与位于第二 N 型外延层表层的 N 型掺杂区与 PP 区，位于栅极多晶硅表 面的层间介质层；位于 PP 区与 N 型掺杂区表面的欧姆接触层，位于欧姆接触层与层间介质层表面的第 一金属层。本申请具有大幅降低栅氧失效概率，提高栅氧可靠性及器件鲁棒性的优点。 天眼查资料显示，通威微电子有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主 ...