金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中 芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为"晶圆及封装方法"的专利，公开号 CN120015637A，申请日期为2023年11月。 专利摘要显示，一种晶圆及封装方法，晶圆包括：衬底；介电层，位于衬底上，介电层背向衬底一侧的 面为键合面；第一键合层，位于中心芯片区的介电层内，且第一键合层露出键合面，第一键合层用于实 现多个晶圆的键合面之间的键合；第二键合层，位于边缘芯片区的介电层内，第二键合层露出键合面， 第二键合层用于实现多个晶圆的键合面之间的键合，且第二键合层的尺寸大于第一键合层的尺寸。在多 个晶圆键合形成键合晶圆时，能够减小键合晶圆的第二键合层因受到套刻精度误差的影响，而使第二键 合层之间的接触面积比第一键合层之间的接触面积小的概率，从而能够保证键合晶圆的边缘芯片区的键 合强度。 来源：金融界 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国际集成电路 ...