外媒报道称，中国长鑫存储科技股份有限公司（CXMT）已完成LPDDR5X内存的开发阶段，正积极尝试缩小与三星之间的技术差距。业内观察人士推测， 按照目前的速度，这家中国制造商最早可能在2026年就实现全面量产。三星因此不甘落后，加快了自主研发LPDDR6内存技术的步伐。 据悉，1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点，相比前代技术，其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过"设计变更"战略，将1c DRAM的冷态良率提 升至50%，热态良率达60%-70%，并计划在韩国华城工厂建设新生产线，扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可满足AI模 型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。 据行业消息，高通下一代旗舰芯片"骁龙8 Elite Gen2"将首发支持LPDDR6内存，并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。 【环球网科技综合报道】6月7日消息，据外媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年通过第六代"1c DRAM"工艺量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。 随着AI应用向终端设备下沉，LPDDR6内存的带宽与 ...