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Marvell Develops Industry's First 2nm Custom SRAM for Next-Generation AI Infrastructure Silicon

产品创新 - 公司推出行业首款2纳米定制静态随机存取存储器(SRAM),旨在提升云数据中心和AI集群中定制XPU及设备的性能,该产品结合了先进的定制电路、软件和2纳米工艺技术,可提供高达6千兆比特的高速内存,同时显著降低内存功耗和芯片面积[1] - 定制SRAM是公司加速基础设施内存层次结构性能的最新创新,此前公司已推出CXL技术用于定制硅片集成,为云服务器增加TB级内存和补充计算能力,并推出定制HBM技术,将内存容量提升高达33%,同时减少XPU内高带宽内存堆栈所需的空间和功耗[2] - 定制SRAM在行业中以每平方毫米最高带宽著称,使芯片设计者能够节省高达15%的2纳米设计总面积,节省的硅面积可用于集成更多计算核心、扩展内存、缩小设备尺寸和成本,或在特定性能功耗、应用或总拥有成本目标之间实现平衡[3] 技术优势 - 基于创新的数据路径和架构,定制SRAM在同等密度下比标准片上SRAM功耗降低高达66%,同时运行频率可达3.75 GHz[3] - 公司定制技术平台战略通过独特的半导体设计和创新方法寻求突破性成果,结合系统和半导体设计专长、先进工艺制造以及全面的半导体平台解决方案和IP组合,包括电气和光学串行器/解串器、2D和3D设备的芯片间互连、硅光子学、共封装铜、定制HBM、SoC结构、光学IO和PCIe Gen 7等计算结构接口[6] 行业影响 - 定制SRAM标志着后摩尔定律时代公司定制技术平台的最新扩展,随着晶体管缩放成本和挑战急剧增加,半导体公司及其客户正在定制硅片以更好地服务于客户的独特基础设施架构,尝试新的芯片和封装突破,并重新思考芯片设计假设以扩展计算边界[5] - 行业专家认为内存仍是AI集群和云面临的最大挑战之一,这些系统需要尽可能多且快速的内存,公司通过改进芯片上、芯片封装内和系统内每个可用节点的内存性能的整体方法具有吸引力,并突显了通过定制可能实现的增益[4] 公司战略 - 公司致力于通过深度协作和透明的流程,改变未来企业、云、汽车和运营商架构的转型方式,25年来一直受到全球领先科技公司的信任,为客户当前需求和未来抱负设计半导体解决方案,移动、存储、处理和保障全球数据[9] - 公司高级副总裁表示定制是AI基础设施的未来,超大规模企业今天用于开发尖端定制XPU的方法和技术将渗透到更多客户、更多类别的设备和更多应用中,公司期待与合作伙伴和客户合作,为定制时代创建领先的技术组合[4]