算力需求爆发，叠加外部对HBM在带宽等环节的管制，将刺激国产HBM的突破和供应 周五受国产存储大客户的HBM3通过验证的消息刺激，精智达、芯源微等核心标的涨幅明显。国产存储 大客户已经具备DDR5颗粒的制造能力，传输速率等核心指标已经达成，只是目前在散热和能耗等方面 还有提升空间。HBM3的底层存储颗粒具备量产条件。且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和 CMP等订单，国产HBM扩产的确定性在快速加强。 智通财经APP获悉，东吴证券发布研报称，当前算力需求爆发叠加外部对HBM在带宽等环节的管制， 正加速刺激国产HBM的突破和供应。国产存储大客户HBM3已通过验证，底层DDR5颗粒制造能力达 标，预计下半年实现量产突破，相关设备厂商已陆续获得TCB、CMP等环节订单。设备环节推荐受益 较多的精智达(688627.SH)，其订单弹性最大。 东吴证券主要观点如下： 风险提示：产业进展不及预期/需求不及预期。 国产HBM扩产同样利好前道设备，对应DRAM扩产产生新增量 HBM扩产需要底层的DRAM颗粒，目前市场预期此次HBM扩产量级为5000片的8层晶圆，则对应4万片 的底层DDR5扩产，对应约350亿的设备 ...