国产HBM技术突破与量产预期 - 算力需求爆发叠加外部对HBM带宽等环节的管制，加速刺激国产HBM技术突破和供应 [1] - 国产存储大客户HBM3已通过验证，底层DDR5颗粒制造能力达标，预计下半年实现量产突破 [1] - 相关设备厂商已陆续获得TCB、CMP等环节订单，国产HBM扩产确定性快速加强 [1] 设备环节订单增量 - 国产HBM扩产预期今年实现5000片8层晶圆，为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机环节分别带来1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿订单增量 [2] - 测试机、键合解键合、CMP环节弹性最大，各关键工序设备已实现国产或较易采购 [2] 前道设备市场增量 - HBM扩产需底层DRAM颗粒支持，5000片8层晶圆对应4万片底层DDR5扩产，带来约350亿设备资本开支增量 [3] - 刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等前道设备环节分别受益85亿、70亿、16亿、11亿市场增量 [3]