产品技术突破 - 公司开发出AW2K21型号30V N沟道MOSFET 采用共源极配置 在2mm×2mm封装尺寸下实现行业领先的导通电阻仅2mΩ [1][11] - 新产品采用专有结构提升单元密度 同时降低单位芯片面积的导通电阻 将两个MOSFET集成至单一封装 支持双向保护应用 [3] - 独特结构将漏极端子置于顶部表面 采用WLCSP封装实现更高芯片与封装面积比 进一步降低单位面积导通电阻 [4] 市场需求背景 - 智能手机等紧凑设备对大容量电池快充功能需求增长 需要防止反向电流的双向保护 同时要求MOSFET具备20A最大电流 28-30V击穿电压及≤5mΩ导通电阻 [2] - 传统方案需使用两个大尺寸低导通电阻MOSFET 导致电路板空间占用增加且安装复杂度上升 [2] 性能优势对比 - 传统方案需两个3.3mm×3.3mm MOSFET 新产品仅需单个2mm×2mm单元 面积减少81% 导通电阻降低33% [5] - 相比同尺寸GaN HEMT器件 导通电阻最多可降低50% 有助于降低功耗并节省空间 [5] 应用场景拓展 - 产品适用于电源和充电电路中的双向保护 也可作为单向保护MOSFET用于负载开关应用 保持行业最低导通电阻 [8] - 公司正在开发更小尺寸的1.2mm×1.2mm型号 持续推进微型化技术 [8] 商业化进展 - 产品已于2025年4月通过DigiKey Mouser和Farnell等线上渠道销售 后续将扩展至其他分销平台 [9] - 公司致力于通过紧凑高性能解决方案支持电子系统小型化和能效提升 助力实现可持续社会 [9]