光刻机概念股表现 - 光刻机概念股盘中走势活跃 中船特气、凯美特气、东材科技等涨停 华特气体、华懋科技涨超9% [1] 第三代半导体技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展 首次研制商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延 [1] - 该技术显著降低氮化镓外延材料缺陷密度 大幅提升散热性能 各项指标达国际领先水平 有望解决可靠性问题 [1] - 突破大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈 可批量应用于大尺寸高质量氮化镓外延材料制备 为硅基氮化镓技术路线提供替代方案 [1] 氮化镓行业前景 - 5G技术、汽车、无线通信、航天航空等领域发展推动对耐高温、耐高压、高频及大功率性能的需求 [2] - 氮化镓作为第三代宽禁带半导体代表 具有宽禁带、高击穿场强、高热导率和高电子漂移速率等优势 [2] - 氮化镓器件导通电阻小、电子迁移率高、热导性好 在散热、能耗、体积方面优势明显 可提升电力电子器件性能并节省能源 [2] - 厂商正通过垂直型结构和提高集成度寻求技术突破 氮化硅功率器件性能及性价比提升后 在高、中、低电压场景均有发展潜力 [2] - 氮化镓在汽车电气系统、大规模集成电路、无线通讯等领域发展前景广阔 [2]