HBM市场增长前景 - 全球HBM市场规模预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元 年复合增长率达33% [1] - HBM解决带宽瓶颈 功耗过高及容量限制问题 成为AI芯片主流选择 [1] - SK海力士2025年出货全球首批HBM4样品 三星计划2025年底实现HBM4量产 美光计划2026年推出HBM4 [1] 3DDRAM技术发展 - 3DDRAM通过垂直化架构突破传统制程极限 成为高密度DRAM长期解决方案 [2] - 三星开发垂直通道晶体管(VCT)DRAM SK海力士推进垂直栅极(VG)DRAM 均采用4F2核心技术架构 [2] - 3DDRAM工艺流程中图形化步骤精简 高难度蚀刻/沉积工序增加 产业价值从光刻设备向蚀刻 沉积环节迁移 [2] 键合技术市场机遇 - 3DDRAM增加晶圆对晶圆(W2W)键合需求 bonder市场规模预计从2025年1000亿日元增至2030年3000亿日元 [3] - HBM4(12层)和HBM4e(16层)可能2026年开始采用W2W键合 2028年HBM5(20层)起W2W或成主流 [1] 中国厂商发展机遇 - 中国大陆光刻资源受限 3DDRAM更倚重蚀刻 薄膜 键合等技术而非EUV 中国厂商或有望实现弯道超车 [4] - 长鑫采用横向堆叠方式简化垂直整合工艺 外围电路通过混合键合整合 整体思路与早期3D NAND类似 [4] - 2024年海力士展示5层堆叠3DDRAM原型产品良率达56.1% 美光拥有多项3DDRAM专利 [4] 定制化存储应用进展 - 定制化存储成为端侧AI优选方案 华邦CUBE具有高带宽 低功耗特性 首批导入国外穿戴类设备 [5] - 南亚科定制化存储目标2025年底完成验证 2026年导入量产 应用涵盖AI服务器 AIPC AI手机等 [5] - 兆易创新子公司青耘科技为AI手机 AIPC 汽车等领域提供定制化解决方案 客户拓展进展顺利 [6]