技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心（深圳）完成技术平台1.0 在衬底与外延技术、SiC平面栅与沟槽栅技术、GaN外延与器件技术等方面取得重大突破[1] - 实现碳化硅激光剥离技术突破 实现8英寸单片总损耗小于75微米 切割时间小于等于20分钟 成本降低26% 整体性能达到国际领先[1] - 突破200微米超厚膜缺陷控制与少子寿命提升难题 超厚膜外延达到国际先进水平 并首次实现商用4公式偏角4H-SiC衬底上3C-SiC外延高质量生长[1] - 自主设计业界首台多功能超宽禁带材料和万伏大功率器件综合表征系统 利用国产材料制备了国内首个氮化铝/富铝镓氮HMET器件[1] 平台建设与规划 - 深圳综合平台是全球首个集科研和中试于一体的8英寸先进功率半导体开放共享平台 具备全链条研发到产业化能力 设有四大中心[2] - 平台计划进一步提升功率密度和器件可靠性 同时在第四代半导体器件方面取得突破[2] - 在2025湾区半导体产业生态博览会上 平台与14家产业链伙伴达成合作签约 完善产业生态布局[3] - 国家第三代半导体技术创新中心EDA设计公共平台正式启用[3] 行业地位与前景 - 功率半导体是现代电力电子器件和射频器件的高潜力材料 与集成电路同等重要 核心竞争力在于材料和器件结构的结合[2] - 以SiC和GaN为代表的第三代半导体 以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体 未来应用前景十分广泛[2] - 平台技术瞄准新型智能电网、轨道交通等国家战略需求 开展特高压厚膜、超结外延研究[1]