价格趋势 - 9月以来存储迎来新一轮涨价，闪迪宣布NAND产品价格上调10%以上，西部数据计划提高所有HDD产品价格，三星电子计划将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10% [1] - 预期25Q4整体一般型DRAM价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18% [1][2] - NAND Flash第四季各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10% [1][2] 供给情况 - 受NAND Flash需求疲软和价格压力影响，美光、三星、SK海力士等海外原厂启动减产计划，主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级达成减产目的 [3] - 24Q3开始，原厂将部分利润率偏低的传统DRAM产能转至DDR5、HBM等更高利润产品 [3] - 海外原厂宣布停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品，尽管对特定客户维持部分产能，但仍存在产能短缺问题 [3] 需求驱动 - AI推理应用推升实时存取和高速处理海量数据的需求，促使HDD与SSD供应商积极扩大供给大容量存储产品 [4] - 全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线，无法满足AI刺激的突发性巨量储存需求，NL HDD交期从数周急剧延长为52周以上 [4] - Server DRAM因云端服务供应商建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，2026年CSP的DRAM采购需求有望大幅成长 [4] - HBM需求持续扩张，Yole Group预测HBM市场在2030年前将保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50% [4] 行业观点与建议 - AI需求旺盛推动存储需求增长，叠加海外原厂产能限制，25Q4存储涨价趋势预计持续，看好本轮存储大周期 [1] - 建议关注兆易创新、德明利、佰维存储、普冉股份等公司 [1]