【文/观察者网 心智研究所】 技术路线的分岔：同一个问题，两种解法 要理解这场技术路线分岔的深意，需要回到二十世纪末的那场危机。 1999年，美国国防部高级研究计划局（DARPA）资助了一个雄心勃勃的研究项目，目标是探索CMOS 技术如何突破25纳米的物理极限。彼时，整个半导体行业笼罩在一片悲观情绪之中。根据当时的技术预 测，当晶体管的栅极长度逼近20纳米时，传统的平面结构将彻底失效——电子会像不听话的孩子一样四 处乱窜，漏电问题将使芯片变成一块发热的废铁。 领导这个研究项目的，是加州大学伯克利分校的胡正明教授。这位后来被誉为"摩尔定律续命人"的华人 科学家，带领团队提出了两种截然不同的解决方案。 用一个通俗的比喻来理解：想象你手中握着一根越来越细的水管，水流变得越来越难以控制，总是从指 缝间漏出去。怎么办？ 第一种办法是把水管竖起来——你的手指可以从三面包裹住水管，接触面积大了，控制力自然就强了。 这就是FinFET的核心思想：将原本平躺的晶体管沟道竖起来，形成一个像鱼鳍一样的三维结构，让栅 极能够从三面包裹住沟道，大幅增强对电流的控制能力（如下图）。 2014年前后，法国SOI衬底材料龙头Soitec正经 ...