当前，随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求。传统硅 基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限，而作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电 子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心。然而，在低压应用场景中，GaN器件 的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈。 为计算芯片供电提供全新方案 【深圳商报讯】(首席记者王海荣通讯员平信)12月16日，记者从深圳平湖实验室获悉，该实验室研发团 队在低压(15V-40V)氮化镓(GaN)功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压GaN E- HEMT(增强型高电子迁移率晶体管)器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片 供电提供全新解决方案。 面对这一挑战，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台， 先后攻克了一系列关键技术难题，成功研制出高性能15V-40V GaN E-HEMT器件。其中代表性的25V器 件的关键参数达到国际先进水平，大幅突破传统硅基技术的性能极限。 ...