声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。 专利摘要显示，本文公开的实施例包括一种装置，该装置包括衬底和在衬底中的组件，其中组件包括焊 盘。在实施例中，第一层在焊盘之上，并且第一层包括硅和氮。在实施例中，第二层在衬底之上，并且 过孔穿过第一层和第二层，其中，过孔接触焊盘。 国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为"用于具有凸块间距缩放的过孔形成的具有保护层 的嵌入式桥"的专利，公开号CN121215621A，申请日期为2025年5月。 作者：情报员 本文源自：市场资讯 ...