Mitsubishi Electric to Ship Samples of Four New Trench SiC-MOSFET Bare Dies for Power Semiconductors
Businesswire·2026-01-14 11:00
公司产品发布 - 三菱电机宣布将于1月21日开始提供四款新型沟槽型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管裸片的样品 [1] - 新产品为未封装的裸片 专为电动汽车牵引逆变器、车载充电器以及太阳能等可再生能源供电系统等电力电子设备设计 [1] - 这些新型功率半导体裸片旨在帮助降低电力电子设备的功耗 同时保持性能 [1] - 公司将在1月21日至23日的东京第40届Nepcon日本研发与制造展 以及北美、欧洲、中国、印度等地的展会上展示该新产品 [2] 行业与市场背景 - 随着全球脱碳目标的推进 电力电子设备市场预计将扩大 [3] - 市场对嵌入高效率裸片的功率半导体需求不断增长 这类产品能使电动汽车牵引逆变器和可再生能源供电系统在保持高性能与质量的同时降低功耗 [3]