文章核心观点 - 碳化硅功率器件凭借其优异的性能，在高压大功率领域应用日益广泛，市场规模和渗透率正快速提升，预计未来将继续保持增长态势 [1][7] 碳化硅功率器件行业定义及分类 - 碳化硅材料具有高导热率（是硅基材料的3倍）、耐高温（理论上可达600℃，实际工作温度约200℃）和强抗辐射能力，适用于军用、太空等极端环境 [2] - 碳化硅功率器件主要分为SiC二极管（包括SBD、PiN、JBS）、SiC开关管（包括MOSFET、JFET、IGBT）以及SiC功率模块（包括全SiC和混合SiC模块） [2] 碳化硅功率器件行业发展现状 - 全球功率半导体器件市场持续增长，2025年市场规模达374.5亿元，预计2026年将增至407.8亿元 [1][5] - 碳化硅功率器件市场增长显著，其市场规模从2020年的4.5亿元增长至2025年的28.3亿元，渗透率从1.42%提升至7.56% [7] - 预计2026年碳化硅功率器件市场规模将增至38.8亿元，渗透率将扩大至9.51%，未来市场规模和渗透率预计将持续上升 [1][7] 碳化硅功率器件行业产业链 - 产业链上游主要包括碳化硅外延晶片、衬底等原材料及设备耗材 [7] - 产业链中游为生产环节，涉及IDM、器件设计公司及晶圆代工厂 [7] - 产业链下游应用广泛，包括光伏发电、风力发电、电动汽车、轨道交通、智能电网及宇航等领域，其中在电动汽车领域主要应用于电机驱动、电池充电、车载空调和低压直流供电等部件 [4][7] 碳化硅功率器件行业竞争格局 - 全球市场呈现“国际大厂+国内龙头”双寡头格局，国际主要企业包括英飞凌、罗姆电子、富士电机、意法半导体、Rohm公司、Cree公司等，它们凭借技术积累和车规认证优势占据高端市场 [8] - 国内主要企业包括天域半导体、天岳先进、斯达半导、深圳基本半导体、上海瀚薪科技、株洲中车时代电气、泰科天润、中国电科五十五所等 [2][8] - 其中，深圳基本半导体、斯达半导、天岳先进等公司通过垂直整合的IDM模式实现了从衬底到模块的全链条布局，全球市场份额正逐步提升 [8] 碳化硅功率器件行业发展展望 - 随着应用领域不断扩大以及对硅基器件的替代，行业在商业和技术上均需持续演进迭代，以满足更高的成本和质量要求 [10] - 碳化硅器件相比硅基器件具有更高电能转换效率、更高工作温度和更好散热性能，广泛应用于新能源汽车、可再生能源和轨道交通等领域 [10] - 为满足成本和可靠性要求，行业正致力于优化器件结构和工艺，以持续降低MOSFET的比导通电阻并提高沟槽MOSFET的可靠性 [10]